b'\n_START_ARTICLE_\nDiodo\n_START_SECTION_\nHistoria\n_START_PARAGRAPH_\nAunque el diodo semiconductor de estado s\xc3\xb3lido se populariz\xc3\xb3 antes del diodo termoi\xc3\xb3nico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo._NEWLINE_En 1873 Frederick Guthrie descubri\xc3\xb3 el principio de operaci\xc3\xb3n de los diodos t\xc3\xa9rmicos. Guhtrie descubri\xc3\xb3 que un electroscopio cargado positivamente pod\xc3\xada descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que \xc3\xa9ste lo tocara. No suced\xc3\xada lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direcci\xc3\xb3n._NEWLINE_Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu\xc3\xa9 los filamentos de carb\xc3\xb3n de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. \xc3\x89l hab\xc3\xada construido una bombilla con un filamento adicional y una con una l\xc3\xa1mina met\xc3\xa1lica dentro de la l\xc3\xa1mpara, el\xc3\xa9ctricamente aislada del filamento. Cuando us\xc3\xb3 este dispositivo, confirm\xc3\xb3 que una corriente flu\xc3\xada del filamento incandescente a trav\xc3\xa9s del vac\xc3\xado a la l\xc3\xa1mina met\xc3\xa1lica, pero esto s\xc3\xb3lo suced\xc3\xada cuando la l\xc3\xa1mina estaba conectada positivamente._NEWLINE_Edison dise\xc3\xb1\xc3\xb3 un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un volt\xc3\xadmetro de DC, y obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no ten\xc3\xada uso pr\xc3\xa1ctico para esa \xc3\xa9poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precauci\xc3\xb3n, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison._NEWLINE_Aproximadamente 20 a\xc3\xb1os despu\xc3\xa9s, John Ambrose Fleming (cient\xc3\xadfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podr\xc3\xada usarse como un radio detector de precisi\xc3\xb3n. Fleming patent\xc3\xb3 el primer diodo termoi\xc3\xb3nico en Gran Breta\xc3\xb1a el 16 de noviembre de 1904._NEWLINE_En 1874 el cient\xc3\xadfico alem\xc3\xa1n Karl Ferdinand Braun descubri\xc3\xb3 la naturaleza de conducir por una sola direcci\xc3\xb3n de los cristales semiconductores. Braun patent\xc3\xb3 el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de \xc3\xb3xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la d\xc3\xa9cada de los 1930._NEWLINE_El cient\xc3\xadfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo pr\xc3\xa1ctico para la recepci\xc3\xb3n de se\xc3\xb1ales inal\xc3\xa1mbricas por Greenleaf Whittier Pickard, qui\xc3\xa9n invent\xc3\xb3 un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi\xc3\xb3 una patente de ello el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us\xc3\xb3 ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que m\xc3\xa1s se us\xc3\xb3 porque ten\xc3\xada la ventaja de ser barato y f\xc3\xa1cil de obtener. Al principio de la era de la radio, el detector de cristal semiconductor consist\xc3\xada de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se pod\xc3\xada mover manualmente a trav\xc3\xa9s del cristal para as\xc3\xad obtener una se\xc3\xb1al \xc3\xb3ptima. Este dispositivo problem\xc3\xa1tico fue r\xc3\xa1pidamente superado por los diodos termoi\xc3\xb3nicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi\xc3\xb3 a usarse frecuentemente con la llegada de los econ\xc3\xb3micos diodos de germanio en la d\xc3\xa9cada de 1950._NEWLINE_En la \xc3\xa9poca de su invenci\xc3\xb3n, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acu\xc3\xb1\xc3\xb3 el t\xc3\xa9rmino diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de \xe1\xbd\x85\xce\xb4\xce\xbf\xcf\x82), que significa camino.\n_START_SECTION_\nDiodos termoi\xc3\xb3nicos y de estado gaseoso\n_START_PARAGRAPH_\nLos diodos termoi\xc3\xb3nicos son dispositivos de v\xc3\xa1lvula termoi\xc3\xb3nica (tambi\xc3\xa9n conocida como tubo de vac\xc3\xado), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vac\xc3\xado. Los primeros modelos eran muy parecidos a la l\xc3\xa1mpara incandescente._NEWLINE_En los diodos de v\xc3\xa1lvula termoi\xc3\xb3nica, una corriente a trav\xc3\xa9s del filamento que se va a calentar calienta indirectamente el c\xc3\xa1todo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y \xc3\xb3xido de estroncio, los cuales son \xc3\xb3xidos alcalinot\xc3\xa9rreos; se eligen estas sustancias porque tienen una peque\xc3\xb1a funci\xc3\xb3n de trabajo (algunas v\xc3\xa1lvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno act\xc3\xbaa como calentador y como c\xc3\xa1todo). El calentamiento causa emisi\xc3\xb3n termoi\xc3\xb3nica de electrones en el vac\xc3\xado. En polarizaci\xc3\xb3n directa, el \xc3\xa1nodo estaba cargado positivamente por lo cual atra\xc3\xada electrones. Sin embargo, los electrones no eran f\xc3\xa1cilmente transportados de la superficie del \xc3\xa1nodo que no estaba caliente cuando la v\xc3\xa1lvula termoi\xc3\xb3nica estaba en polarizaci\xc3\xb3n inversa. Adem\xc3\xa1s, cualquier corriente en este caso es insignificante._NEWLINE_En la mayor parte del siglo xx, los diodos de v\xc3\xa1lvula termoi\xc3\xb3nica se usaron en aplicaciones de se\xc3\xb1ales an\xc3\xa1logas, rectificadores y potencia. Actualmente, los diodos de v\xc3\xa1lvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras el\xc3\xa9ctricas, amplificadores de audio, as\xc3\xad como equipo especializado de alta tensi\xc3\xb3n.\n_START_SECTION_\nDiodo semiconductor\n_START_PARAGRAPH_\nUn diodo semiconductor moderno est\xc3\xa1 hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en \xc3\xa9l para crear una regi\xc3\xb3n que contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regi\xc3\xb3n en el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regi\xc3\xb3n. El l\xc3\xadmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una uni\xc3\xb3n PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado c\xc3\xa1todo), pero no en la direcci\xc3\xb3n opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del \xc3\xa1nodo al c\xc3\xa1todo (opuesto al flujo de los electrones)._NEWLINE_Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusi\xc3\xb3n de electrones del cristal n al p (J\xe2\x82\x91). Al establecerse una corriente de difusi\xc3\xb3n, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la uni\xc3\xb3n, zona que recibe el nombre de regi\xc3\xb3n de agotamiento._NEWLINE_A medida que progresa el proceso de difusi\xc3\xb3n, la regi\xc3\xb3n de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la uni\xc3\xb3n. Sin embargo, la acumulaci\xc3\xb3n de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo el\xc3\xa9ctrico (E) que actuar\xc3\xa1 sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr\xc3\xa1 a la corriente de electrones y terminar\xc3\xa1 deteni\xc3\xa9ndolos._NEWLINE_Este campo el\xc3\xa9ctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensi\xc3\xb3n entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7\xc2\xa0V en el caso del silicio y 0,3\xc2\xa0V para los cristales de germanio.\xe2\x80\x8b_NEWLINE_La anchura de la regi\xc3\xb3n de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est\xc3\xa1 mucho m\xc3\xa1s dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor._NEWLINE_Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensi\xc3\xb3n externa, se dice que el diodo est\xc3\xa1 polarizado, pudiendo ser la polarizaci\xc3\xb3n directa o inversa.'