b'\n_START_ARTICLE_\nNitruro de indio\n_START_PARAGRAPH_\nEl nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una peque\xc3\xb1a banda prohibida que lo hace potencialmente \xc3\xbatil para aplicaciones en c\xc3\xa9lulas fotoel\xc3\xa9ctricas y electr\xc3\xb3nica de alta velocidad\xe2\x80\x8b La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura\xe2\x80\x8b (el valor anterior es 1.97 eV).\xe2\x80\x8b _NEWLINE_La masa efectiva del electr\xc3\xb3n ha sido recientemente determinada usando mediciones con altos campos magn\xc3\xa9ticos\xe2\x80\x8b\xe2\x80\x8b como m*=0.055 m\xe2\x82\x80. En aleaci\xc3\xb3n con el nitruro de galio (GaN) forma el sistema ternario nitruro de galio-indio (InGaN) que tiene una banda prohibida directa desde el intervalo infrarrojo (0.65eV) hasta el ultravioleta (3.4eV)'