b'\n_START_ARTICLE_\nMemoria reprogramable\n_START_SECTION_\nEstructura FAMOS\n_START_PARAGRAPH_\nLa estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) se muestra en la figura 1. Es un transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada totalmente por di\xc3\xb3xido de silicio. Para grabar la memoria, el drenador se polariza para alcanzar tensi\xc3\xb3n de avalancha y los electrones de avalancha se inyectan en el \xc3\xb3xido. Esta carga modifica la tensi\xc3\xb3n umbral del transistor.\n_START_SECTION_\nEstructura MIOS\n_START_PARAGRAPH_\nLa estructura MIOS (Metal-Insulator-SiO\xe2\x82\x82-Si) es un transistor MOS con dos capas de diel\xc3\xa9ctricos distintos en la puerta. La clase m\xc3\xa1s popular es la MNOS (Metal-Nitruro de silicio-Oxido de silicio-Silicio). Los electrones cruzan el SiO\xe2\x82\x82 por efecto t\xc3\xbanel y la capa de nitruro por emisi\xc3\xb3n de Frankel-Poole. Los MIOS se pueden borrar el\xc3\xa9ctricamente, y son la base de las memorias EAROM (Electrically alterable ROM)\n_START_SECTION_\nEstructura SAMOS\n_START_PARAGRAPH_\nLa estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura 3) proviene de la FAMOS, a\xc3\xb1adi\xc3\xa9ndole una segunda puerta. Esta segunda puerta, adem\xc3\xa1s de permitir el borrado el\xc3\xa9ctrico, facilita la escritura. Esta estructura es la base de las memorias EEPROM'