Газ фазаһы һәм плазмаһынан алмас алыу хәҙерге заман ысулы нигеҙендә СССР Фәндәр Академияһының Физик химия институты ғилми хеҙмәткәрҙәре (Дерягин Борис Владимирович, Федосеев Д. В., Спицын Б. В.) коллективының пионер хеҙмәттәре ята[49], улар[50] 95 % водородтан һәм 5 % углеродлы газдан (пропан, ацетилен), шулай уҡ алмас үҙе (ҡара: CVD-процесс) барлыҡҡа килгән киртләстә (подложка) тупланған юғары йышлыҡтағы плазманан торған газ мөхитен ҡулланалар. 700…850 °C газ температураһы баҫым аҫтында атмосфера газынан 30 тапҡырға кәмерәк. Синтезлау технологияһына бәйле, алмастарҙың киртләстә (подложкала) үҫеш тиҙлеге 7-нән 180 мкм/ч тиклем. Шул уҡ ваҡытта алмас металл йәки керамик киртләстә (подложка) дөйөм алғанда углеродтың алмас түгел (sp3), ә графит формаһын (sp2) тотороҡландырыу шарты булғанда ултыра. Алмастың тотороҡланыуы беренсе сиратта киртләс (подложка) өҫтөндәге процестарҙың кинетикаһы менән аңлатыла. Алмас ултырырлыҡ кәрәкле шарт булып, киртләстең тотороҡло карбидтар булдырыу мөмкинлеге (шул иҫәптән алмастың температура ултырмаларында: 700 °C менән 900 °C араһында) тора. Мәҫәлән, алмас ултырмаһы Si, W, Cr киртләстәрҙә (подложкаларҙа) һәм (туранан-тура, йә фәҡәт аралыҡтағы ҡатламдарҙа) Fe, Co, Ni булыуы мөмкин.