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Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos
Data de defesa: 15-02-2008
Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Lucy Vitoria Credidio Assali; Fernando Iikawa; Eliermes Arraes Meneses; Antonio Carlos Seabra
Orientador: Guennadii Mikhailovitch Goussev
Apresentamos neste trabalho algumas propriedades do transporte de cargas de heteroestruturas contendo pontos-quânticos. Três tópicos foram explorados: no primeiro, observamos um comportamento anômalo nos platôs do efeito Hall quântico, que atribuímos à existência de estados de borda contra-rotativos; no segundo, determinamos o tempo de decoerência do sistema bidimensional de elétrons em função do estágio evolutivo de pontos-quânticos de InAs autoformados nas suas proximidades. Concluímos que a tensão mecânica acumulada durante o crescimento epitaxial \"congela\" os elétrons, reduzindo a taxa de decoerência; finalmente, testamos algumas das possíveis configurações de heteroestruturas visando a construção de fotodetectores baseados em pontos-quânticos. Observamos que a repetição da região-ativa pode ser utilizada como um parâmetro no controle das mobilidades quânticas e, por conseguinte, das propriedades de operação desses detectores. (AU)
Processo FAPESP: 03/12109-5 - Caracterizacao de heteroestruturas semicondutoras utilizadas na fabricacao de fotodetectores operando na faixa de micrometros.