<s>[INST]HEMT ne anlama geliyor?[/INST]Elektron mobilitesi, tüm yarı iletken malzemeler için delik mobilitesinden daha yüksek olduğundan, verilen bir bipolar n-p-n transistörü, eşdeğer bir pnn transistöründen daha hızlı olma eğilimindedir. GaA'lar üç yarı iletkenin en yüksek elektron hareketliliğine sahiptir. Bu nedenle, GaA'lar yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. Nispeten yeni bir FET gelişmesi olan yüksek elektronlu mobilite transistörü (HEMT), iki defa olan allium arsenitin (AlGaA'lar) -galli arsenitin (GaA'lar) bir heteroyapısına (farklı yarı iletken malzemeler arasındaki bağlantı) sahiptir. GaAs-metal bariyer kavşağının elektron hareketliliği. Yüksek hızları ve düşük sesleri nedeniyle HEMT'ler, 12 GHz civarında frekanslarda çalışan uydu alıcılarında kullanılır. Galyum nitrür ve alüminyum galyum nitrür (HAGS) bazında HEMT'ler hala daha yüksek bir elektron hareketliliği sağlar ve çeşitli uygulamalar için geliştirilmektedir.</s>