<s>[INST]Elektron hareketliliğinin en yüksek olduğu hangi yarı iletken?[/INST]Elektron mobilitesi, tüm yarı iletken malzemeler için delik mobilitesinden daha yüksek olduğundan, verilen bir bipolar n-p-n transistörü, eşdeğer bir pnn transistöründen daha hızlı olma eğilimindedir. GaA'lar, üç yarı iletkenin en yüksek elektron hareketliliğine sahiptir. Bu nedenle, GaA'lar yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. Nispeten yeni bir FET gelişimi olan yüksek elektron hareketliliğine sahip transistör (HEMT), bir GaA'nın elektron hareketliliğinin iki katına sahip olan bir alüminyum galyum arsenitin (AlGaA'lar) -galli arsenitinin (GaA'lar) bir heteroyapısına sahiptir. metal bariyer kavşağı. Yüksek hızları ve düşük sesleri nedeniyle HEMT'ler, 12 GHz civarında frekanslarda çalışan uydu alıcılarında kullanılır. Galyum nitrür ve alüminyum galyum nitrür (HAGS) bazında HEMT'ler hala daha yüksek bir elektron hareketliliği sağlar ve çeşitli uygulamalar için geliştirilmektedir.</s>