<s>[INST]Yakın kızılötesi ışık yayılımını keşfetmeye yardımcı olmak için ne tür bir diyot kullanıldı?[/INST]Eylül 1961'de, Dallas, Texas'ta Texas Instruments'da çalışırken, James R. Biard ve Gary Pittman, GaAs substratı üzerinde oluşturdukları bir tünel diyotundan yakın kızılötesi (900 nm) ışık yayılımını keşfetti. Ekim 1961'de, bir GaAs p-n kavşaklı ışık yayıcı ve elektriksel olarak yalıtılmış bir yarı iletken fotodetektör arasında verimli ışık yayılımı ve sinyal bağlantısı göstermişlerdir. 8 Ağustos 1962'de Biard ve Pittman, bulgularına dayanarak "Yarı İletken Radyant Diyot" başlıklı bir patent başvurusunda bulundular, bu da ileri önyargı altında kızılötesi ışığın etkin şekilde yayılmasını sağlamak için aralıklı bir katot kontağı olan çinko dağınık bir bağlantı LED'i tanımladı. Çalışmalarının önceliğini yaptıktan sonra, G.E. ABD patent ofisi MIT’deki Laboratuarlar, RCA Araştırma Laboratuarları, IBM Araştırma Laboratuarları, Bell Laboratuarları ve Lincoln Lab, ABD patent bürosu iki mucidi, ilk pratik LED olan GaAs kızılötesi (IR) ışık yayan diyotu (ABD Patenti US3293513) için patenti verdi. . Patenti doldurduktan hemen sonra, Texas Instruments (TI) kızılötesi diyot üretimi için bir projeye başladı. Ekim 1962'de, TI, 890 nm ışık çıkışı sağlamak için saf bir GaAs kristali kullanan ilk LED ticari ürününü (SNX-100) açıkladı. Ekim 1963'te TI, ilk ticari yarım küre LED'i olan SNX-110’u açıkladı.</s>