<s>[INST]Hangi LED'ler InGaN / GaN sistemlerinde üretilemediklerinden daha verimlidir?[/INST]1990'ların sonunda, mavi LED'ler yaygın olarak bulunmaya başladı. Kaplama katmanları denilen kalın GaN katmanları arasına sıkıştırılmış bir veya daha fazla InGaN kuantum kuyusundan oluşan aktif bir bölgeye sahiptirler. InGaN kuantum kuyularındaki nispi In / Ga fraksiyonunu değiştirerek, ışık emisyonu teorik olarak menekşe renginden kehribar arasında değişebilir. Değişken Al / Ga fraksiyonlu alüminyum galid nitrür (AlGaN), ultraviyole LED'ler için kaplama ve kuantum kuyusu katmanlarını üretmek için kullanılabilir, ancak bu cihazlar henüz InGaN / GaN mavi / yeşil cihazların verimlilik ve teknolojik olgunluk seviyesine ulaşmamıştır. Eğer alaşımsız GaN, bu durumda aktif kuantum oyuk katmanlarını oluşturmak için kullanılırsa, cihaz, 365 nm civarında merkezlenmiş bir tepe dalga boyu ile ultraviyole yakınında ışık yayar. Yeşil InGaN / GaN sisteminden üretilen LED'ler, nitrür olmayan malzeme sistemlerinde üretilen yeşil LED'lerden çok daha verimli ve daha parlaktır, ancak pratik cihazlar hala yüksek parlaklık uygulamaları için çok düşük verimlilik göstermektedir. ]</s>