plasma,중첩,deposition
신호입력선(172), 전극용 도전체(176) 및 신호출력선(171) 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(phtsensitivity)을 가지는 유기 물질 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapr depsitin, PECVD)으로 형성되는 aSi:C:O, aSi:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등으로 이루어진 보호막(passivatin layer)(180)이 형성되어 있다.