초음파,접지전극,Ultrasound
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 프로브는 트랜스듀서층(20)과, 트랜스듀서층(20)의 전면에 마련되는 정합층(10)과, 정합층(10)의 전면에 설치되는 보호층(30)과, 보호층(30)의 전면에 마련되는 음향렌즈(9)와, 트랜스듀서층(20)의 후면에 설치되는 흡음층(40)과, 흡음층(40)의 후면에 마련되는 히트싱크(50)를 포함한다.