Lanying Lin
Lanying Lin ( ;  - ), est une ingénieure électricienne chinoise, spécialiste des matériaux, une physicienne et une femme politique. Elle est surnommée la « mère des matériaux aérospatiaux » et la « mère des matériaux semi-conducteurs » en Chine.   

Parmi ses nombreuses contributions, on compte la fabrication du premier crystal de silicium monocristallin de Chine et le premier four utilisé pour fabriquer du silicium monocristallin en Chine. Elle jette les bases du développement de la microélectronique et de l'optoélectronique. Elle est à l'origine du développement de matériaux extensifs en phase vapeur hautement purifiée et en phase liquide.

Jeunesse et formation 
Lanying Lin naît le 7 février 1918 dans la ville de Putian ( province du Fujian, sud de la Chine), de Jianhua Li, éducateur, et de Shuixian Zhou. 

Elle est la première enfant d'une famille nombreuse qui remonte à la dynastie Ming 600 ans auparavant. Son ancêtre Run Lin était censeur impérial pendant la dynastie Ming, il contrôlait et supervisait d'autres fonctionnaires. Au cours de sa carrière, il soutient l'Empereur contre des contestataires et ce dernier lui donne de l'argent pour construire une maison à Putian. Lin naît et grandit dans cette maison. 

Mais être une fille en Chine n'est pas un destin facile. Ses sœurs subissent des mariages forcés ou sont tuées. Avant d'avoir six ans, Lin devait faire la lessive et cuisiner pour toute la famille.

Formation en Chine 
À six ans, elle souhaite aller à l'école. Sa mère, profondément influencée par les normes sociales chinoises en matière de genre, lui interdit de faire des études. Pour elle, une femme n'a pas besoin de savoir lire. Lin s'enferme dans sa chambre, fait la grève de la faim et sa mère finit par l'autoriser à aller à l'école primaire de Liqing. Lin y a souvent les meilleures notes, malgré le ménage et la cuisine. Elle gardera de cette période l'habitude de ne dormir que six heures par nuit.   

Elle mène la même bataille pour continuer au collège de Liqing. Sa mère accepte qu'elle s'y rende si elle ne doit rien payer. Lin obtient une bourse chaque semestre grâce à ses bonnes notes, le collège offrant une bourse aux trois meilleurs élèves. Après le collège, elle s'inscrit au lycée de Putian, mais elle n'y reste qu'un an après l'attaque japonaise contre la Chine. Des étudiants organisent des défilés exigeant le boycott du Japon. Des agents et soldats japonais sont en Chine, les défilés sont supprimés et des étudiants tués.   

Lin est transférée dans une école pour femmes appelée Hami Lton School. Là, elle assiste un professeur américain qui parle mal le chinois en traduisant ses cours pour ses élèves. Elle poursuit ses études à l'Université chrétienne de Fukien. À 22 ans, elle obtient un Bachelor of science en physique. Elle travaille à l'université pendant 8 ans, dont quatre ans comme assistante en mécanique. Elle publie son premier livre, , et obtient la certification de professeur.

Formation aux États-Unis 
L'Université chrétienne de Fukien propose des programmes d'échange avec l'Université de New York pour les enseignants ayant travaillé plus de deux ans. La candidature de Lin est refusé car elle n'est pas chrétienne. 

Elle dépose sa candidature au Dickinson College et obtient une bourse d'études complète et un autre Bachelor of science en mathématiques avec l'aide de son collègue Lairong Li, en 1931. Elle étudie ensuite la physique du solide à l'Université de Pennsylvanie. En 1955, elle obtient un doctorat en physique du solide et devient la première ressortissante chinoise en cent ans à y obtenir un doctorat.

Carrière

Etats-Unis 
Lin souhaite retourner en Chine après l'obtention de son diplôme. Cependant, la situation politique chinoise est tendue et de nombreux étudiants chinois ne sont pas autorisés à rentrer. Sur recommandation de son professeur à l'Université de Pennsylvanie, elle travaille pendant un an comme ingénieur principale à la Sofia (Sylvania) Company, un fabricant de semi-conducteurs. Lin résout le problème qui empêchait l'entreprise de fabriquer du silicium monocristallin.

Chine 
En 1956, la Chine signe un traité lors de la Conférence de Genève qui permet le retour des étudiants. Le 6 janvier 1957, Lin rentre en Chine. Juste avant son embarquement, le Federal Bureau of Investigation la menace de bloquer ses revenus (6'800 USD) si elle quitte le pays. Elle monte quand même à bord du navire. 

Elle travaille à l'Institut des semi-conducteurs de l'Académie chinoise des sciences et apporte son expérience pour permettre à la Chine de produire du silicium monocristallin en changeant le processus, les embargos de l'époque ne permettant pas d'obtenir l'équipement nécessaire. En 1958, la Chine est le troisième pays à le produire et jette les bases du développement des radios à transistors. En 1959, elle travaille pendant un mois à l'Académie soviétique des sciences. 

En 1962, elle devient vice-présidente de la Fédération de la jeunesse chinoise. La même année, elle conçoit le premier four à cristal monocristallin chinois, nommé TDK, et elle fabrique le premier Arséniure de gallium monocristallin chinois. En 1963, elle participe à la création du premier laser à semi-conducteur en Chine et fabrique du silicium hautement purifié. En 1964, elle conçoit le . Elle devient député de la troisième Assemblée nationale populaire et membre du Comité permanent de l'Assemblée nationale populaire. Elle sera également député de la quatrième à la huitième Assemblée. 

Pendant la révolution culturelle, de 1966 à 1976, Lin n'est pas autorisée à faire de la recherche et doit rester chez elle sous la surveillance des autorités. Son père décède à la suite d'une agression. Après la révolution, à près de 60 ans, Lin retourne travailler.

En 1978, elle est membre du comité de l'Institut chinois d'électronique (CIE) et en 1979, devient directrice générale de l'Institut chinois d'électronique (CIE). En avril 1980, elle est nommée deuxième vice-présidente de l'Association chinoise pour la science et la technologie (CAST). L'année suivante, elle devient membre de l'Académie chinoise des sciences (CAS). 

En 1981, elle créé le circuit intégré, en 1986, le circuit intégré SOS-CMOS et en 1989, elle conduit des recherches sur le GaInAsSb / InP. En 1987, elle devient membre de l'Association américaine pour l'avancement des sciences.

En 1989, après avoir constaté que la densité de dislocation de l'arséniure de gallium est élevée en raison de la gravité, elle décide de faire l'expérience dans des satellites artificiels. L'expérience est risquée car le point de fusion de l'arséniure de gallium est de 1 238 degrés Celsius, mais elle est réussie et Lin devient la première au monde à la finaliser. Le gouvernement chinois nommera une société d'arséniure de gallium en son honneur en 2001 (chinois: 中 科 稼 英 ). 

En 1991, elle réalise un satellite en utilisant 5 circuits différents de circuit intégré SOS-CMOS. En 1992, elle fabrique du phosphure d'indium monocristallin, en 1998, elle fabrique des cellules solaires à base d'arséniure de gallium en liquéfiant les matériaux. Entre 1990 et 2000, elle dirige la recherche sur le SiC et le GaN et développe une nouvelle technologie de croissance des matériaux à haute température. En 1996, elle devient directrice du Laboratoire national de microgravité.

À 78 ans, en 1996, elle est diagnostiquée d'un cancer. Elle meurt le 4 mars 2003. 

Toute sa vie, Lying rencontre des difficultés en tant que femme. En 1978, elle rejoint la Fédération nationale des femmes de Chine. Elle participe à de nombreuses conférences où elle s'exprime sur les questions de genre. En 1988, par exemple, elle participe à la conférence intitulée «L'influence des femmes sur le développement de la science du tiers monde» et en 1995 à la trente et unième Conférence mondiale des Nations unies sur les femmes, avec la délégation du gouvernement chinoise.       

Elle est connue sous le nom de  «mère des matériaux aérospatiaux» et «mère des matériaux semi-conducteurs» en Chine, en hommage à ses recherches dans ces domaines.

Publications majeures 

 Dislocations et précipités dans l'arséniure de gallium semi-isolant révélés par la gravure ultrasonique d'Abrahams-Buiocchi 
 Défauts stœchiométriques dans le GaAs semi-isolant 
 Diffusion de la rugosité de l'interface dans les hétérostructures dopées par modulation GaAs-AlGaAs  
 Croissance de monocristaux de GaAs à haute gravité  
 Amélioration de la stoechiométrie dans l'arséniure de gallium semi-isolant cultivé sous microgravité  
 Magnétospectroscopie de phonons liés dans du GaAs de haute pureté  
 Influence des centres DX dans la barrière AlxGa12xAs sur la densité à basse température et la mobilité du gaz d'électrons bidimensionnel dans l'hétérostructure dopée par modulation GaAs / AlGaAs 
 Influence du coussin Schottky GaAs semi-isolant sur la barrière Schottky dans la couche active 
 Backgating et sensibilité à la lumière dans les transistors à effet de champ métal-semi-conducteur GaAs 
 Dépendance énergétique photonique de l'effet SW dans les films α-Si: H 
 Méthode de mesure basée sur l'irradiation infrarouge par neutrons pour l'oxygène interstitiel dans le silicium fortement dopé au bore 
 Propriétés et applications du monocristal de GaAs cultivé dans des conditions de microgravité  
 Résultats préliminaires de la croissance de monocristaux de GaAs dans des conditions de gravité élevée  
 Distributions spatiales des impuretés et des défauts dans les GaAs dopés au Te et au Si cultivés dans un environnement à gravité réduite 
 Microdéfauts et uniformité électrique de l'InP recuit dans des ambiances de phosphore et de phosphure de fer  
 Formation, structure et fluorescence des amas de CdS dans une zéolite mésoporeuse 
 Fabrication d'une nouvelle structure SOI double-hétéro-épitaxiale Si / γ-Al 2 O 3 / Si  
 Luminescence photostimulée d'amas d'argent dans la zéolite-Y  
 Caractérisation des défauts et uniformité de la tranche entière des tranches InP semi-isolantes recuites non dopées  
 Croissance VLP-CVD à très basse pression de films de γ-Al 2 O 3 de haute qualité sur silicium par procédé en plusieurs étapes  
 Quelques nouvelles observations sur la formation et les propriétés optiques des amas de CdS dans la zéolite-Y 
 Spectres d'absorption des amas de segments Se 8 dans la zéolite 5A 
 Croissance de GaSb et GaAsSb dans la région monophasée par MOVPE  
 Croissance et propriétés des LPE-GaAs de haute pureté  
 Nouveaux centres de couleurs et luminescence photostimulée de BaFCl: Eu 2+ 
 Analyse de la canalisation du silicium auto-implanté et recristallisé sur saphir  
 GaAs semi-isolant cultivé dans l'espace 
 L'irradiation des neutrons induit une photoluminescence à partir d'un cristal de silicium cultivé dans l'hydrogène ambiant  
 L'influence de l'épaisseur sur les propriétés de la couche tampon de GaN et du GaN fortement dopé au Si cultivé par épitaxie en phase vapeur métal-organique 
 La dépendance du taux de croissance de la couche tampon de GaN sur les paramètres de croissance par épitaxie en phase vapeur métal-organique 
 Auto-organisation du super-réseau de points quantiques InGaAs / GaAs 
 Thermoluminescence des amas de CdS dans la zéolite-Y

Articles connexes 

 Chronologie de la place des femmes dans les sciences
 Triméthylgallium
 Phospho-arséniure de gallium
 Arséniure d'aluminium-gallium

Références 

Naissance en février 1918
Étudiant du Dickinson College
Étudiant de l'université de Chicago
Étudiant de l'université de Pennsylvanie
Physicienne chinoise
Membre de l'Académie chinoise des sciences
Membre de l'Association américaine pour l'avancement des sciences
Femme scientifique
Décès à 85 ans
Décès en mars 2003