Квон, Зе Дон
Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон (род. ) — советский и российский учёный-, специалист в области физики конденсированного состояния, член-корреспондент РАН (2022).

Биография 
Родился  в поселке Быков Долинского района Сахалинской области.

В 1973 году — окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников имени А. Ф. Иоффе РАН

Работает в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, с 1998 года — заведующий лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.

В 1980 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах».

В 1992 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе».

С 1984 года — одновременно ведет преподавательскую деятельность в НГУ, с 1993 года — профессор кафедры полупроводников.

В 2022 году — избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН.

Научная деятельность 
З. Д. Квон является специалист в области физики конденсированного состояния. Его основная сфера научных интересов связана с изучением квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур.

Вклад З. Д. Квона в исследования физики конденсированного состояния описываются, но не исчерпываются следующими темами: интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием, подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов, мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова — Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, магнитный пробой двумерного топологического изолятора, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе.

Под руководством З. Д. Квона впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. В его лаборатории в Институте физики полупроводников в Новосибирске исследованы состояния двумерного полуметалла в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе, двумерные и трёхмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона.

Примечания

Ссылки 
 
 

Выпускники Новосибирского государственного университета
Преподаватели Новосибирского государственного университета