多値記憶素子
電子工学において、記憶素子当たり1ビットしか格納し得ない単値記憶素子（SLC）に対して、多値記憶素子（MLC）は単一のビットよりも多くの情報を格納し得るである。

記憶素子は大抵単体の浮遊ゲートMOSFET（金属酸化物半導体電解効果トランジスタ）の組み合わせである、従って多値記憶素子は、単値記憶素子と同じデータの総量を必要とする場合、複数のMOSFETの個数を減らす。

脚注

関連項目 
 フラッシュメモリ
 ソリッドステートドライブ

記憶装置
不揮発性メモリ