The present invention provides a method of fabricating a SiGe-on-insulator substrate in which lattice engineering is employed to decouple the interdependence between SiGe thickness, Ge fraction and strain relaxation. The method includes providing a SiGe-on-insulator substrate material comprising a SiGe alloy layer having a selected in-plane lattice parameter, a selected thickness parameter and a selected Ge content parameter, wherein the selected in-plane lattice parameter has a constant value and one or both of the other parameters, i.e., thickness or Ge content, have adjustable values; and adjusting one or both of the other parameters to final selected values, while maintaining the selected in-plane lattice parameter. The adjusting is achieved utilizing either a thinning process or a thermal dilution process depending on which parameters are fixed and which are adjustable.
본 발명은 SiGe 두께, Ge 분율 및 변형 완화율 간의 상호 의존성을 분리하기 위해 격자 엔지니어링을 이용하고 있는 SiGe-온-절연체 기판을 제조하는 방법을 제공한다. 이 방법은 선택된 면내 격자 파라미터, 선택된 두께 파라미터 및 선택된 Ge 컨텐트 파라미터를 갖는 SiGe 합금층을 포함하는 SiGe-온-절연체 기판 물질을 제공하는 단계 - 상기 선택된 면내 격자 파라미터는 일정한 값을 가지며 상기 다른 파라미터 중 하나나 둘 다, 즉 두께나 Ge 컨텐트는 조절 가능한 값을 가짐 - ; 및 상기 선택된 면내 격자 파라미터를 유지하면서 상기 다른 파라미터 중 하나나 둘 다를 최종 선택 값으로 조절하는 단계를 포함한다. 조절 단계는 어느 파라미터가 고정되고 어느 것이 조절 가능한 지에 따라서 박막화 프로세스나 열 희석 프로세스를 이용하여 성취된다.