Disclosed are apparatus and methods for determining optimal focus for a photolithography system. A plurality of optical signals are acquired from a particular target located in a plurality of fields on a semiconductor wafer, and the fields were formed using different process parameters, including different focus values. A feature is extracted from the optical signals related to changes in focus. A symmetric curve is fitted to the extracted feature of the optical signals as a function of focus. An extreme point in the symmetric curve is determined and reported as an optimal focus for use in the photolithography system.
개시된 것은 포토리소그래피 시스템에 대한 최적의 초점을 결정하기 위한 장치 및 방법들이다. 복수의 광 신호들이 반도체 웨이퍼 상의 복수의 필드들에 위치된 특정 타겟으로부터 획득되고, 그 필드들은 상이한 초점 값들을 포함하는 상이한 공정 파라미터들을 사용하여 형성되었다. 초점 변경들에 관련된 특징이 광 신호들로부터 추출된다. 대칭 곡선이 초점의 함수로서 광 신호들의 추출된 특징에 피팅된다. 대칭 곡선에서의 극점이 포토리소그래피 시스템에서의 사용을 위한 최적의 초점으로서 결정되고 보고된다.