A liquid precursor containing barium, strontium, and titanium, is applied to a first electrode (28, 55), dried in air at a first temperature of 160 °C and then a second temperature of 400 °C, and annealed at a temperature of 800 °C in nitrogen to form a thin film (30, 60) of barium strontium titanate. A second electrode (32, 77) is deposited and the device (10, 70) is patterned to form a capacitor (16, 72), and a second anneal is performed at a temperature of 800 °C in nitrogen. In this manner, a high electronic quality thin film (30, 60) of barium strontium titanate is fabricated without a high-temperature oxygen anneal.
바륨, 스트론튬 및 티타늄을 포함한 액체전구체는 바륨스트론튬티탄산염의 박막(30,60)을 형성하기 위하여 제 1전극(28, 55)에 도포되고, 160℃의 제 1온도로 대기에서 건조되고 다음에 400℃의 제 2온도로 건조되고, 질소내에서 800℃의 온도로 어닐된다. 제 2전극(32, 77)은 증착되고, 디바이스(10, 70)는 커패시터(16, 72)를 형성하기 위해 패턴화되고, 제 2어닐은 질소내에서 800℃의 온도로 행해진다. 이런 방식에 의해서 높은 전자적인 품질의 바륨스트론튬티탄산염의 박막(30, 60)은 고온산소어닐없이 제조된다.