A benzoxazole resin precursor comprising a first repeating unit which is obtained by the reaction of a bisaminophenol compound and a dicarboxylic acid compound, at least one of which has the diamondoid structure; a benzoxazole resin precursor further comprising a second repeating unit which is obtained by the reaction of a bisaminophenol compound having no diamondoid structure and a dicarboxylic acid compound having no diamondoid structure; a polybenzoxazole resin obtained by the ring-closing reaction with dehydration of the above benzoxazole resin precursor; a resin film constituted with the benzoxazole resin precursor or the polybenzoxazole resin. A polybenzoxazole resin and a resin film having excellent heat resistance and a small permittivity and a semiconductor device using the resin film can be obtained from the benzoxazole resin precursor.
비스아미노페놀 화합물과 디카르복시산 화합물의 적어도 어느 한 쪽에 다이아몬드형 구조를 가지는 2개의 화합물을 반응시켜 얻어지는 제 1 반복 단위를 포함하는 벤조옥사졸 수지 전구체. 또한, 다이아몬드형 구조를 가지지 않는 비스아미노페놀 화합물과 다이아몬드형 구조를 가지지 않는 디카르복시산 화합물을 반응시켜 얻어지는 제 2 반복 단위를 포함하는 벤조옥사졸 수지 전구체. 상기 벤조옥사졸 수지 전구체를 탈수 폐환 반응해 얻어지는 폴리벤조옥사졸 수지. 상기 벤조옥사졸 수지 전구체 또는 폴리벤조옥사졸 수지로 구성되는 수지막. 상기 벤조옥사졸 수지 전구체로부터 내열성 및 저유전율인 폴리벤조옥사졸 수지, 수지막 및 그것을 이용한 반도체 장치를 얻을 수 있다.