Durante regravações, a camada de óxido em transistores de porta flutuante gradualmente acumula elétrons presos.
dˌuɾˈɐ̃ŋtɨ ʁˌeɡɹɐvɐsˈõjʃ, ɐ kɐmˈadɐ dɨ ˈɔksidw ˈeɪŋ tɹˌɐ̃ŋziʃtˈoɾɨʒ dɨ pˈɔɾətɐ flˌutuˈɐ̃ŋtɨ ɡɹˌɐduˌɑlmˈeɪŋtɨ ˌɐkumˈulɐ ˌelˈɛtɹuŋʃ pɹˈezʊʃ.