In der Elektronik spielt es als mindestens 99,9999 Prozent reines Element für Gallium-Arsenid-Halbleiter, sogenannte III-V-Halbleiter (aufgrund der Kombination von Elementen aus der 3. und 5. Hauptgruppe des Periodensystems), sowie für Epitaxieschichten auf Wafern in Form von Indiumarsenidphosphid und Galliumarsenidphosphid eine wesentliche Rolle in der Herstellung von Hochfrequenzbauelementen wie Integrierten Schaltkreisen (ICs), Leuchtdioden (LEDs) beziehungsweise Laserdioden (LDs).
ɪn dɛɾ eːlˈɛktɾoːnˌɪk ʃpˈiːlt ɛs als mˈɪndəstəns nˈɔøn ʊntnˈɔøntsɪç,nˈɔøn tˈaʊzənt nˈɔønhˈʊndɜt nˈɔøn ʊntnˈɔøntsɪç pɾoːtsˈɛnt rˈaɪnəs ˌeːleːmˈɛnt fyːɾ ɡˈaliːˌʊmˌaɾzeːnˈiːthˈalblaɪtɜ, zˈoːɡənˌantə rˌøːmɪʃ dɾˈaɪfˈaʊhˈalblaɪtɜ ˈaʊfɡɾˌʊnt dɛɾ kˌɔmbiːnatsjˈoːn fɔn ˌeːleːmˈɛntən ˌaʊs dɛɾ dɾˈaɪ. ʊnt fˈynf. hˈaʊptɡɾʊpə dɛs pˌeːrɪˈoːdənzystˌeːms, zoːvˈiː fyːɾ ˌeːpiːtˈaksiːʃˌɪçtən aʊf vˈɑfɜn ɪn fˈɔɾm fɔn ˌɪndiːˌuːmaɾzˌeːnɪtfɔsfˈiːt ʊnt ɡˌaliːˌuːmaɾzˌeːnɪtfɔsfˈiːt ˌaɪnə vˈeːzəntlɪçə rˈɔlə ɪn dɛɾ hˈɛɾʃtɛlˌʊŋ fɔn hˈoːxfreːkvˈɛntsbaʊˌɛleːmˌɛntən viː ˌɪntɛɡɾˈiːɾtən ʃˈaltkɾaɪzən ˈiːks, lˈɔøçtdɪˌoːdən lˈɛts bətsˈiːʊŋsvˌaɪzə lˈɑzɜdˌɪoːdən ˌɛldˌeːˈɛs.