Bis in die 1980er Jahre wurde es als Material für die Steuerelektrode (Gate) von Feldeffekttransistoren mit Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (MOSFET beziehungsweise MOS-FET) verwendet.
bɪs ɪn diː ˈaɪn tˈaʊzənt nˈɔønhˈʊndɜt ˈaxtsɪɡɜ jˈɑːrə vˌ??də ɛs als mˌɑteːriːˈɑːl fyːɾ diː ʃtˈɔøeːrˌɛlɛktɾˌoːdə ɡˈɑːtə fɔn fˌɛldɛfˌɛktɾanzɪstˈoːrən mɪt meːtˈalˌiːzoːlˈɑtoːɾhˈalblaɪtɜʃtɾʊktˈuːɾ mˈɔsfət bətsˈiːʊŋsvˌaɪzə ˌɛmˌoːˈɛsˌɛfˌeːtˈeː fɛɾvˈɛndət.