Für die Halbleitertechnik wird Arsen, dessen Reinheit über 99,99999 Prozent betragen muss, durch Reduktion von mehrfach destilliertem Arsen(III)-chlorid im Wasserstoffstrom hergestellt:
fyːɾ diː hˈalblaɪtɜtˌɛçnɪk vˌɪɾt ˈaɾzən, dˈɛsən rˈaɪnhaɪt ˌyːbɜ nˈɔøn ʊntnˈɔøntsɪç,nˈɔøn ʊntnˈɔøntsɪç tˈaʊzənt nˈɔønhˈʊndɜt nˈɔøn ʊntnˈɔøntsɪç pɾoːtsˈɛnt bətɾˈɑːɡən mˈʊs, d??ç rˌeːdʊktsjˈoːn fɔn mˈeːɾfax dˌɛstɪlˈiːɾtəm ˈaɾzən rˌøːmɪʃ dɾˈaɪkloːrˈiːt ɪm vˈasɜʃtɔfstɾˌoːm hˈɛɾɡɛʃtˌɛlt: