Zhong Lin Wang
ஜாங் லின் வாங் (பிறப்புஃ நவம்பர் 1961) ஒரு சீன-அமெரிக்க இயற்பியலாளர், பொருள் விஞ்ஞானி மற்றும் நானோ தொழில்நுட்பம், எரிசக்தி அறிவியல் மற்றும் மின்னணுவியலில் நிபுணத்துவம் பெற்ற பொறியாளர் ஆவார். 1987 ஆம் ஆண்டில் அரிசோனா மாநில பல்கலைக்கழகத்தில் முனைவர் பட்டம் பெற்றார். அவர் பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியலில் ஹைட்டவர் இருக்கை மற்றும் அமெரிக்காவின் ஜார்ஜியா இன்ஸ்டிடியூட் ஆப் டெக்னாலஜியில் ரீஜண்ட்ஸ் பேராசிரியராக உள்ளார். 1987 ஆம் ஆண்டு அரிசோனா மாநில பல்கலைக்கழகத்தில் இயற்பியலில் முனைவர் பட்டம் பெற்றார். பி. எஸ். பயன்பாட்டு இயற்பியலில், சீடியன் பல்கலைக்கழகம், சியான், சீனா, 1982. சுங்-தாவோ லீ ஏற்பாடு செய்த CUSPEA திட்டத்தின் மூலம் பட்டப்படிப்புக்காக அவர் அமெரிக்காவுக்கு வந்தார். 1987 முதல் 1988 வரை ஸ்டோனி புரூக் பல்கலைக்கழகத்தில் வருகை விரிவுரையாளராக இருந்தார். அடுத்த ஆண்டு கேம்பிரிட்ஜ் பல்கலைக்கழகத்தில் கேவெண்டிஷ் ஆய்வகத்தில் ஆராய்ச்சியாளராகப் பணியாற்றிய பிறகு, வாங் 1990 முதல் 1994 வரை ஓக் ரிட்ஜ் தேசிய ஆய்வகம் மற்றும் தேசிய தரநிலைகள் மற்றும் தொழில்நுட்ப நிறுவனத்தில் ஆராய்ச்சி விஞ்ஞானியாக சேர்ந்தார். 1995 ஆம் ஆண்டில் ஜார்ஜியா இன்ஸ்டிடியூட் ஆப் டெக்னாலஜியால் இணை பேராசிரியராக பணியமர்த்தப்பட்டார்; அவர் 1999 இல் முழு பேராசிரியராகவும், 2004 இல் ரீஜண்ட்ஸ் பேராசிரியராகவும், 2010 இல் பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியலில் ஹைட்டவர் இருக்கையாகவும் பதவி உயர்வு பெற்றார். 2000 முதல் 2015 வரை ஜார்ஜியா டெக் நிறுவனத்தின் நானோ கட்டமைப்பின் சிறப்பியல்பு மையத்தின் இயக்குநராக வாங் இருந்தார். அவர் 2012 முதல் சீன அறிவியல் அகாடமியின் பெய்ஜிங் இன்ஸ்டிடியூட் ஆஃப் நானோ எனர்ஜி அண்ட் நானோ சிஸ்டம்ஸில் நிறுவன இயக்குனர், இயக்குனர் மற்றும் தலைமை விஞ்ஞானி ஆவார். நானோ ஜெனரேட்டர்களின் அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்பம் வாங் 2006 ஆம் ஆண்டில் பீசோ எலக்ட்ரிக் நானோ ஜெனரேட்டர்களைக் கண்டுபிடித்தார், இது ZnO நானோவைர் வரிசைகளால் வழங்கப்படும் சிறிய இயந்திர ஆற்றலிலிருந்து மின்சாரத்தை உருவாக்குகிறது. அப்போதிருந்து, நானோ ஆற்றல் மற்றும் சுய-ஆற்றல் அமைப்புகள் பிறந்தன, அவை சென்சார் நெட்வொர்க்குகள், மொபைல் எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் இன்டர்நெட் ஆஃப் திங்ஸ் ஆகியவற்றில் முக்கியமான பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளன. 2011 ஆம் ஆண்டில் வாங் ட்ரைபோ எலக்ட்ரிக் நானோ ஜெனரேட்டர்கள் (டி. இ. என். ஜி) கண்டுபிடிப்பதற்கு முன்பு, இயந்திர ஆற்றல் அறுவடை முக்கியமாக 1831 இல் ஃபாரடே கண்டுபிடித்த மின்காந்த ஜெனரேட்டரை (ஈ. எம். ஜி) நம்பியுள்ளது. 10-60 Hz க்கும் அதிகமான உயர் அதிர்வெண் இயந்திர இயக்கங்களுக்கு ஈ. எம். ஜி மிகவும் திறமையானது, ஏனெனில் குறைந்த அதிர்வெண்ணில், ஈ. எம். ஜியின் வெளியீடுகள் குறைவாக இருக்கும். உயர் அதிர்வெண்ணில் உயர் தரமான மற்றும் ஒழுங்குபடுத்தப்பட்ட ஆற்றல் நமது இன்றைய எரிசக்தி அமைப்பை உருவாக்குவதில் முக்கிய பங்கு வகிக்கிறது. இருப்பினும், விநியோகிக்கப்பட்ட ஆற்றல் மேலும் மேலும் முக்கியமானது, ஏனெனில் இந்த சகாப்தம் இன்டர்நெட் ஆஃப் திங்ஸ் மற்றும் செயற்கை நுண்ணறிவுக்குள் முன்னேறியுள்ளது. சுற்றுச்சூழலில் இருந்து குறைந்த அதிர்வெண் இயந்திர ஆற்றலை அறுவடை செய்வதில் ஈ. எம். ஜி. யை விட டி. இ. என். ஜி. க்கள் வெளிப்படையான நன்மைகளைக் காட்டியுள்ளன. TENG ஐ அடிப்படையாகக் கொண்ட ஆற்றல் மாற்று செயல்திறன் 50-85% ஐ அடைய முடியும். இதுவரை பெறப்பட்ட அதிகபட்ச வெளியீட்டு சக்தி அடர்த்தி 500 W/m2 வரை உள்ளது. TENGs பல வகையான மூலங்களிலிருந்து ஆற்றலை அறுவடை செய்ய முடியும், மேலும் கையடக்க மின்னணுவியல், உயிர் மருத்துவம், சுற்றுச்சூழல் கண்காணிப்பு மற்றும் பெரிய அளவிலான மின்சாரம் ஆகியவற்றிற்கான சுய-ஆற்றல் அமைப்புகளில் முக்கியமான பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளன. கலப்பின செல். நடைமுறையில், சாதனத்தின் நிலையான செயல்பாட்டை பொதுவாக ஒரு வகை ஆற்றலை மட்டுமே அகற்றுவதன் மூலம் உணர முடியாது. சூரிய மற்றும் இயந்திர ஆற்றல் போன்ற இரண்டு அல்லது அதற்கு மேற்பட்ட வெவ்வேறு வகையான ஆற்றல்களை ஒரே நேரத்தில் அறுவடை செய்வதற்காக வாங் 2009 ஆம் ஆண்டில் கலப்பின கலத்தை அறிமுகப்படுத்தினார். பல வகையான ஆற்றலைத் தவிர, ஒரே வகையான ஆற்றலை அறுவடை செய்ய இரண்டு வெவ்வேறு அணுகுமுறைகளைப் பயன்படுத்துவதையும் கலப்பின செல் உள்ளடக்கியது. பைரோஎலக்ட்ரிக் நானோ ஜெனரேட்டர். தெர்மலீலெக்ட்ரிக் விளைவு என்பது ஒரு இயற்பியல் விளைவு ஆகும், இது மின்சாரத்தை உருவாக்க ஒரு தெர்மலீலெக்ட்ரிக் பொருள் வழியாக வெப்பநிலை சாய்வைப் பயன்படுத்துகிறது. ஒரு பைசோ எலக்ட்ரிக் பொருளில், வெப்பநிலையின் நேர மாறுபாடு சக்தி மாற்றத்திற்கான துருவமுனைப்பை ஏற்படுத்தும், இது பைரோ எலக்ட்ரிக் விளைவு ஆகும். 2012 ஆம் ஆண்டில், பைரோஎலக்ட்ரிக் விளைவின் அடிப்படையில், வாங் பைரோஎலக்ட்ரிக் நானோ ஜெனரேட்டரைக் கண்டுபிடித்தார். நீல ஆற்றல். டி. இ. என். ஜி. க்கள் குறைந்த அதிர்வெண்ணில் நீர் அலை ஆற்றலை சேகரிக்கும் திறன் கொண்டவை என்று நிரூபிக்கப்பட்டுள்ளது. இருப்பினும், பாரம்பரிய ஈ. எம். ஜி தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்துவது கிட்டத்தட்ட சாத்தியமற்றது. 2014 ஆம் ஆண்டில், வாங் நீல ஆற்றல் பற்றிய யோசனையை முன்மொழிந்தார், இதில் மில்லியன் கணக்கான TENG அலகுகளைப் பயன்படுத்தி பெரிய அளவிலான அலை ஆற்றல் அறுவடைக்காக நீர் மேற்பரப்பில் மிதக்கும் TENG நெட்வொர்க்கை உருவாக்கியது. ஒரு TENG அலகு 10 மெகாவாட் மின்சாரத்தை உற்பத்தி செய்ய முடியும் என்றால், ஜார்ஜியா மாநிலத்தின் அளவு மற்றும் 10 மீட்டர் ஆழத்திற்கு சமமான பகுதியின் மொத்த மின்சாரம் கோட்பாட்டளவில் 16 TW ஆக இருக்கும் என்று கணிக்கப்பட்டுள்ளது, இது உலகின் எரிசக்தி தேவைகளை பூர்த்தி செய்ய முடியும். மேக்ஸ்வெல்லின் இடப்பெயர்ச்சி மின்னோட்டத்திலிருந்து நானோ ஜெனரேட்டர்களின் கோட்பாடு. 1861 ஆம் ஆண்டில், மேக்ஸ்வெல் ε≤E/≤t என்ற சொல்லை மேக்ஸ்வெல்லின் இடப்பெயர்ச்சி மின்னோட்டமாக முன்மொழிந்தார், இது மின்காந்த அலைகளின் ஒருங்கிணைப்புக்கு வழிவகுத்தது. மின்காந்த அலை கம்பியில்லா தொடர்பு, ரேடார் மற்றும் பின்னர் தகவல் தொழில்நுட்பத்திற்கான அடித்தளத்தை அமைக்கிறது. மேற்பரப்பு துருவமுனைப்பு இருக்கும்போது நிகழ்வுகளுக்கு மேக்ஸ்வெல்லின் இடப்பெயர்ச்சி மின்னோட்டத்தில் வாங் இரண்டாவது பதவிக்காலத்தை சேர்த்தார், இது பைசோ எலக்ட்ரிக் மற்றும் ட்ரைபோ எலக்ட்ரிக் விளைவுகள் போன்ற மின்சாரம் அல்லாத புலம் தொடர்பான விளைவுகளால் அறிமுகப்படுத்தப்பட்ட துருவமுனைப்பைக் குறிக்கிறது. ஈ. எம். ஜி காந்தப்புலம் B இன் நேர மாறுபாட்டை அடிப்படையாகக் கொண்டது என்று காட்டப்பட்டுள்ளது, அதே நேரத்தில் நானோ ஜெனரேட்டர் மேற்பரப்பு துருவமுனைப்பு புலம் Ps இன் நேர மாறுபாட்டை நம்பியுள்ளது. சமீபத்தில், சார்ஜ் செய்யப்பட்ட ஊடகத்தை நகர்த்துவதற்கான மேக்ஸ்வெல்லின் சமன்பாடுகளை வாங் முழுமையாக விரிவுபடுத்தினார், மேலும் சமன்பாடுகளுக்கு பொதுவான தீர்வுகளை அறிமுகப்படுத்தினார். பறக்கும் பொருட்களுக்கு இடையிலான தகவல்தொடர்புகளுக்கு இந்த முன்னேற்றம் முக்கியமானதாக இருக்கலாம். தொடர்பு-மின்மயமாக்கலின் தோற்றம். பல தசாப்தங்களாக, எலக்ட்ரான், அயனி மற்றும்/அல்லது பொருட்கள் இனங்கள் பரிமாற்றம் காரணமாக இருந்தால், மின்னூட்டம் அடையாளம் மற்றும் தொடர்பு-மின்மயமாக்கலின் (சி. இ., அல்லது ட்ரைபோ எலக்ட்ரிஃபிகேஷன்) வழிமுறைகள் குறித்து விஞ்ஞானிகள் விவாதித்து வருகின்றனர். சமீபத்தில், திட-திட ஜோடிகளுக்கு இடையில் எலக்ட்ரான் பரிமாற்றம் CE இன் மேலாதிக்க பொறிமுறையாகும் என்று வாங் முடிவு செய்தார். வாங் CE க்கான ஒரு பொதுவான மாதிரியை முன்மொழிந்தார், மேலும் அணுக்கள்/மூலக்கூறுகளுக்கு இடையிலான எலக்ட்ரான் மாற்றம் விரட்டும் பகுதியில் உள்ள இரண்டு அணுக்கள்/மூலக்கூறுகளுக்கு இடையில் ஒரு வலுவான எலக்ட்ரான் மேகம் ஒன்றுடன் ஒன்று (அல்லது அலை செயல்பாடு ஒன்றுடன் ஒன்று) தூண்டப்படுகிறது என்பதை வெளிப்படுத்தினார். தொடர்பு/உராய்வு விசை எலக்ட்ரான் மேகத்தின் ஒன்றுடன் ஒன்று (அல்லது இயற்பியலில் அலை செயல்பாடு, வேதியியலில் பிணைப்பு) மேம்படுத்த முடியும். இந்த மாதிரியை திரவ-திட, திரவ-திரவ மற்றும் வாயு-திரவ நிகழ்வுகளுக்கும் மேலும் விரிவுபடுத்தலாம். பின்னர், திரவத்திற்கும் திடத்திற்கும் இடையில் மின்சார இரட்டை அடுக்கு உருவாக்கும் செயல்முறையை வெளிப்படுத்த ஒரு கலப்பின அடுக்கு மாதிரி முன்மொழியப்பட்டுள்ளது. இடைமுக எலக்ட்ரான் பரிமாற்றம் மற்றும் மாற்றம் காரணமாக ஃபோட்டான் உமிழ்வு காணப்படுகிறது, இதன் விளைவாக தொடர்பு-மின்மயமாக்கல் தூண்டப்பட்ட உமிழ்வு நிறமாலை (சி. இ. ஐ. ஐ. எஸ்) பிறக்கிறது. மேலும், திரவ மற்றும் திட மேற்பரப்புகளுக்கு இடையிலான எலக்ட்ரான் பரிமாற்றத்தை வினையூக்கிக்கு பயன்படுத்தலாம், இதன் விளைவாக தொடர்பு-மின் வினையூக்கத்தின் (சிஇசி) ஒரு புதிய புலம் உருவாகிறது. புதிய சகாப்தத்திற்கான ஆற்றல் மற்றும் உயர் என்ட்ரோபி ஆற்றல். இன்டர்நெட் ஆஃப் திங்ஸ், சென்சார் நெட்வொர்க்குகள், பெரிய தரவு, ரோபாட்டிக்ஸ் மற்றும் செயற்கை நுண்ணறிவு ஆகியவற்றின் புதிய சகாப்தத்தில் நாம் நுழையும்போது, பில்லியன் கணக்கான சிறிய, மொபைல் மற்றும் விநியோகிக்கப்பட்ட ஆற்றல் ஆதாரங்கள் பெரிதும் தேவைப்படுகின்றன. மின்கலன்களின் முக்கிய குறைபாடுகள் காரணமாக, "சுய-சக்தியை" உணர்ந்து கொள்வது அவசியம். நன்கு அறியப்பட்ட புதிய ஆற்றலிலிருந்து விநியோகிக்கப்பட்ட எரிசக்தி ஆதாரங்களை வேறுபடுத்துவதற்காக 2017 ஆம் ஆண்டில் "புதிய சகாப்தத்திற்கான ஆற்றல்" என்ற யோசனையை வாங் முன்மொழிந்தார். சமீபத்தில், இன்டர்நெட் ஆஃப் திங்ஸ் சகாப்தத்திற்கான ஆற்றல் விநியோகம் மற்றும் பயன்பாட்டின் என்ட்ரோபி கோட்பாட்டை வாங் ஆய்வு செய்தார். மின் உற்பத்தி நிலையங்களிலிருந்து பரிமாற்றப்படும் "வரிசைப்படுத்தப்பட்ட" ஆற்றல் நிலையான தளங்கள் மற்றும் "ஒழுங்கற்ற" விநியோகிக்கப்பட்ட மின் பயன்பாடுகளின் ஒரு பகுதிக்கான "வரிசைப்படுத்தப்பட்ட" பயன்பாடுகளைத் தீர்க்கப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் சுற்றுச்சூழலில் இருந்து அறுவடை செய்யப்படும் "ஒழுங்கற்ற" ஆற்றல் முக்கியமாக விநியோகிக்கப்பட்ட பயன்பாடுகளைத் தீர்ப்பதற்காக பயன்படுத்தப்படுகிறது. மூன்றாம் தலைமுறை குறைக்கடத்திகள் பைசோட்ரோனிக் விளைவு மற்றும் பைசோட்ரோனிக்ஸின் பைசோட்ரோனிக்ஸ் மற்றும் பைசோ-ஃபோட்டோட்ரோனிக்ஸ். மைய சமச்சீர் அல்லாத படிக அமைப்பு கொண்ட ஒரு பொருளின் மீது அழுத்தத்தைப் பயன்படுத்தும்போது, அயனி துருவமுனைப்பு காரணமாக ஒரு பைசோ எலக்ட்ரிக் ஆற்றல் (பைசோபோட்டன்ஷியல்) உருவாக்கப்படலாம். ஒரு ZnO நானோவைரைப் பொறுத்தவரை, நானோவைருக்கும் அதன் உலோகத் தொடர்புக்கும் இடையிலான ஷாட்கி தடுப்பு உயரத்தை உருவாக்கப்பட்ட உள் புலத்தால் திறம்பட மாற்றியமைக்க முடியும். இதனால் இடைமுகம் முழுவதும் சார்ஜ் கேரியர் போக்குவரத்து செயல்முறையை திறம்பட ட்யூன் செய்து கேட் செய்ய முடியும். இத்தகைய நிகழ்வு பைசோட்ரோனிக் விளைவு என்று அழைக்கப்படுகிறது, இது 2007 இல் வாங் என்பவரால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. பைசோட்ரோனிக் விளைவைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம், பைசோ எலக்ட்ரிக் ஃபீல்ட் விளைவு டிரான்சிஸ்டர்கள், பைசோ எலக்ட்ரிக் டையோட்கள் மற்றும் ஸ்ட்ரெய்ன் கேட் லாஜிக் செயல்பாடுகள் உருவாக்கப்பட்டுள்ளன. பைசோட்ரோனிக்ஸ் புலம் மின்னணுவியலைக் குறிக்கிறது, இதில் பைசோபோட்டன்ஷியல் ஒரு கேட் மின்னழுத்தமாக செயல்படுகிறது. பைசோட்ரானிக்ஸ் அடிப்படையில், பாரம்பரிய CMOS டிரான்சிஸ்டரின் வடிவமைப்பை அடிப்படையில் மாற்றலாம். முதலாவதாக, பைசோட்ரோனிக் டிரான்சிஸ்டருக்கு கேட் மின்முனை இருக்க முடியாது. இரண்டாவதாக, ஒரு உள் பைசோபோட்டன்ஷியல் பயன்படுத்தப்படும் கேட் மின்னழுத்தத்தை இடம்பெயர்க்கிறது, மேலும் பயன்படுத்தப்படும் திரிபு கேட் மின்னழுத்தத்திற்கு பதிலாக சாதனத்தை கட்டுப்படுத்த பயன்படுத்தப்படுகிறது. மூன்றாவதாக, வடிகால் (மூல)-நானோவைர் இடைமுகத்தில் உள்ள தொடர்பு கால்வாயின் அகலத்திற்கு பதிலாக சார்ஜ் கேரியர் போக்குவரத்தை கட்டுப்படுத்துகிறது. சமீபத்தில், 2டி பொருட்களில் பைசோட்ரோனிக் விளைவும் நிரூபிக்கப்பட்டது. பைசோட்ரோனிக்ஸ் மனித-கணினி இடைமுகம், ஸ்மார்ட் எம். இ. எம். எஸ், நானோரோபோட்டிக்ஸ் மற்றும் சென்சார்கள் ஆகியவற்றில் முக்கியமான மற்றும் பரந்த பயன்பாடுகளைக் கொண்டிருக்கலாம். பைசோ-ஃபோட்டோட்ரோனிக் விளைவு மற்றும் பைசோ-ஃபோட்டோட்ரோனிக்ஸ். ஒரு திரிபைப் பயன்படுத்தும்போது, இடைமுக துருவமுனைப்பு கட்டணங்களால் உருவாக்கப்பட்ட பைசோபோட்டன்ஷியல் உள்ளூர் பேண்ட் கட்டமைப்பை பெரிதும் மாற்றியமைக்கலாம் மற்றும் ஒரு pn சந்திப்பில் சார்ஜ் குறைப்பு மண்டலத்தை மாற்றலாம். சந்திப்பில் சார்ஜ் கேரியர்களைப் பிரிப்பது அல்லது மறுசீரமைப்பது ஃபோட்டானால் தூண்டப்பட்டதைப் போல திறம்பட மேம்படுத்தப்படலாம். இத்தகைய நிகழ்வு பைசோ-ஃபோட்டோட்ரானிக் விளைவு என்று அழைக்கப்படுகிறது, இது 2009 இல் வாங் என்பவரால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது, இதில் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் செயல்முறைகள் உருவாக்கப்பட்ட பைசோபோட்டன்ஷியல் மூலம் டியூன் செய்யப்பட்டு கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன. இந்த விளைவைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம், தனிப்பட்ட-நானோவைர் எல். ஈ. டி அடிப்படையிலான அழுத்தம்/விசை சென்சார் வரிசைகள் புனையப்பட்டுள்ளன, அவை உயர் தெளிவுத்திறன் மற்றும் அடர்த்தியில் திரிபுகளை வரைபடமாக்கலாம் மற்றும் எல். ஈ. டி இன் செயல்திறனை பெரிதும் மேம்படுத்தலாம். இத்தகைய விளைவு ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்களின் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதில் முக்கியமான பயன்பாடுகளைக் காணலாம். பைசோஃபோட்டோனிக் விளைவு. 2008 ஆம் ஆண்டில் பைசோ எலக்ட்ரிக்-தூண்டப்பட்ட ஃபோட்டான்-உமிழ்வு விளைவை (பைசோஃபோட்டோனிக் விளைவு) வாங் கோட்பாட்டளவில் கணித்தார். புகைப்பட உமிழ்வு ஏற்படலாம், இதன் விளைவாக காலியிடத்திலிருந்து/மேற்பரப்பு நிலைகளிலிருந்து சிக்கிய கட்டணங்கள் மீண்டும் வேலன்ஸ் பேண்டிற்குத் திரும்புகின்றன, இது பைசோ எலக்ட்ரிக் ஆற்றலின் கீழ் உள்ளது. இத்தகைய விளைவு அவரது பிற்காலப் படைப்புகளில் சோதனை ரீதியாகக் கவனிக்கப்பட்டு சரிபார்க்கப்பட்டுள்ளது. டிரிபோட்ரானிக்ஸ். ஒரு குறைக்கடத்தி சாதனத்தில் கேரியர் போக்குவரத்தை கட்டுப்படுத்த ஒரு பைசோ எலக்ட்ரிக் ஆற்றலைப் பயன்படுத்துவதைப் போலவே, ட்ரைபோ எலக்ட்ரிக் ஆற்றலையும் ஒரு FET சாதனத்தின் கேட் மின்னழுத்தமாகப் பயன்படுத்தலாம். ட்ரைபோட்ரானிக்ஸ் புலம் எலக்ட்ரானிக்ஸ் ஐக் குறிக்கிறது, இதில் ட்ரைபோ எலக்ட்ரிக் ஒரு கேட் மின்னழுத்தமாக செயல்படுகிறது. இதுவரை, ட்ரைபோட்ரானிக் தொடுதல் சுவிட்ச், நினைவகம், ஹைட்ரஜன் சென்சார் மற்றும் ஃபோட்டோட்ரான்ஸிஸ்டர் போன்ற பல்வேறு வகையான ட்ரைபோட்ரானிக் செயல்பாட்டு சாதனங்கள் புனையப்பட்டுள்ளன. ZnO நானோ கட்டமைப்புகளின் வளர்ச்சி மற்றும் புரிதல் நானோபெல்ட்கள் என்பது வெவ்வேறு நேர்மின் அயனிகள் மற்றும் படிகவியல் கட்டமைப்புகளைக் கொண்ட பல்வேறு குறைக்கடத்தல் ஆக்சைடுகளால் உருவாக்கப்பட்ட ஒரு புதிய வகையான 1D நானோ கட்டமைப்பாகும். 2001 ஆம் ஆண்டில் ஆக்சைடு நானோபெல்ட்களை வாங் கண்டுபிடித்தார். சி நானோ வயர்கள் மற்றும் கார்பன் நானோகுழாய்களுக்கு சமமான முக்கியத்துவத்தைக் கொண்ட ஒரு வகையான பொருளாக ZnO மாறிவிட்டது. TEM இல் உள்ள நானோ அளவீடுகள் கார்பன் நானோகுழாய்களுக்கான இயற்பியல் பண்புகளின் பண்புக்கூறுகள், அவை மாதிரி தூய்மை மற்றும் நானோகுழாய் அளவு விநியோகத்தால் பாதிக்கப்படுகின்றன, பொதுவாக ஸ்கேனிங் ப்ரோப் நுண்ணோக்கி மூலம் மேற்கொள்ளப்படுகின்றன. 1999 ஆம் ஆண்டில், இயந்திர, மின் மற்றும் கள உமிழ்வு உட்பட தனிப்பட்ட நானோகுழாய்களின் பண்புகளை அளவிட பரிமாற்ற எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கியின் (டிஇஎம்) அடிப்படையில் வாங் மற்றும் சக ஊழியர்களால் தனித்துவமான நுட்பங்களின் தொடர் உருவாக்கப்பட்டது. இன்-சிட்டு TEM நுட்பத்தைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம், அணு-தெளிவுத்திறனில் பொருளின் படிக மற்றும் மேற்பரப்பு கட்டமைப்புகளை ஒருவர் நேரடியாகக் கவனிக்க முடியும், மேலும் நானோ அளவிலான பண்பு அளவீடுகளையும் மேற்கொள்ளலாம். வாங் ஒரு நானோ உலகமயமாக்கல் நுட்பத்தையும் நானோ இயந்திரவியலை நோக்கிய அணுகுமுறையையும் நிரூபித்தார். எலக்ட்ரான் விலகல் மற்றும் இமேஜிங்கில் நெகிழ்வான சிதறல் கோட்பாடு எலக்ட்ரான் விலகல் மற்றும் இமேஜிங்கில் நெகிழ்வான சிதறலைப் புரிந்துகொள்ள வாங் சில ஆராய்ச்சிகளைச் செய்தார். எலக்ட்ரான் சிதைவு மற்றும் இமேஜிங்கில் நெகிழ்வான மற்றும் நெகிழ்வான சிதறல் (பிளீனம் பிரஸ், 1995) [27] என்ற பாடப்புத்தகத்தை அவர் வெளியிட்டார். ஸ்கேனிங் டிரான்ஸ்மிஷன் எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கியில் (STEM), உயர் கோண வருடாந்திர இருண்ட புலம் (HAADF) (Z-மாறுபாடு என்று குறிப்பிடப்படுகிறது) வெப்ப பரவல் சிதறல் (TDS) ஆல் ஆதிக்கம் செலுத்துகிறது, இது வாங் வெளிப்படுத்துகிறது. மேலும் எச். ஏ. ஏ. டி. எஃப் இன் பட உருவகப்படுத்துதலில் டி. டி. எஸ் சேர்ப்பதற்கான மாறும் கோட்பாடு முன்மொழியப்பட்டது. கவுரவங்கள் மற்றும் அங்கீகாரம் உலகளாவிய எரிசக்தி பரிசு, 2023 செல்சியஸ் சொற்பொழிவு பரிசு பெற்றவர், 2020, ஸ்வீடன் ஆல்பர்ட் ஐன்ஸ்டீன் உலக அறிவியல் விருது, உலக கலாச்சார கவுன்சில் (2019) 2019 டைல்ஸ்-பிளாங்க் விரிவுரை விருது 2018 எரிசக்தி எல்லைகளில் ENI விருது அமெரிக்க வேதியியல் சமூகம். வெளியீடு மிகவும் சிறந்த எழுத்தாளர் (2017) குளோபல் நானோ எனர்ஜி பரிசு (2017), தி நானோஸ்மாட் சொசைட்டி, இங்கிலாந்து (2017) புகழ்பெற்ற ஆராய்ச்சி விருது, பான் வென் யுவான் அறக்கட்டளை (2017) ஆராய்ச்சி கண்டுபிடிப்புகளில் சிறந்த சாதனையாளர் விருது, ஜார்ஜியா டெக் (2016) (அமெரிக்கா) தென்கிழக்கு பல்கலைக்கழகங்கள் ஆராய்ச்சி சங்கத்தின் புகழ்பெற்ற விஞ்ஞானி விருது (2016) தாம்சன்-ரெய்டர்ஸ் சைடேஷன் பரிசு பெற்ற இயற்பியல் (2015) புகழ்பெற்ற பேராசிரியர் விருது (ஜார்ஜியா டெக் நிறுவனத்தில் மிக உயர்ந்த ஆசிரிய மரியாதை) (2014) நானோஸ்மாட் பரிசு (யுனைடெட் கிங்டம்) (2014) சீனா சர்வதேச அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்ப ஒத்துழைப்பு விருது (2014) உலக தொழில்நுட்ப விருது (பொருட்கள்) (2014) அமெரிக்க இயற்பியல் சங்கத்தின் புதிய பொருட்களுக்கான ஜேம்ஸ் சி. மெக்ரோடி பரிசு (2014) ஏசிஎஸ் நானோ சொற்பொழிவுகள் அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்பத்தில் புகழ்பெற்ற சாதனைக்கான லீ பரிசு (2001) சிறந்த ஆராய்ச்சி ஆசிரியர் விருது, ஜார்ஜியா டெக் (2000) பர்ட்டன் பதக்கம், மைக்ரோஸ்கோபி சொசைட்டி ஆஃப் அமெரிக்கா (1999) குறிப்புகள் வெளிப்புற இணைப்புகள் வாங் 'ஸ் ரிசர்ச் குரூப் வலைத்தளம் http://www.mse.gatech.edu/people/zhong-lin-wang 1961 பிறப்புகள் உயிருள்ள மக்கள் சீன நானோ தொழில்நுட்ப வல்லுநர்கள் சீன குடியேறியவர்கள் அமெரிக்காவிற்கு விஞ்ஞானிகள் ஷான்க்ஸி சிடியன் பல்கலைக்கழக முன்னாள் மாணவர்கள் அரிசோனா மாநில பல்கலைக்கழக முன்னாள் மாணவர்கள் ஜார்ஜியா டெக் ஆசிரிய அமெரிக்க பொருட்கள் விஞ்ஞானிகள் ஷான்க்ஸியிலிருந்து பொறியாளர்கள் ஆல்பர்ட் ஐன்ஸ்டீன் உலக அறிவியல் பரிசு வென்றவர்கள் அமெரிக்க இயற்பியல் சங்கத்தின் சீன அறிவியல் அகாடமியின் வெளிநாட்டு உறுப்பினர்கள்