UltraRAM
ಅಲ್ಟ್ರಾ ರಾಮ್ ಎಂಬುದು ಒಂದು ಬ್ರಾಂಡ್ ಹೆಸರು ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ಹಂತದಲ್ಲಿರುವ ಶೇಖರಣಾ ಸಾಧನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದೆ. ಲಂಕಸ್ಟೆರ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯದ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ವಿಭಾಗವು ವಾರ್ವಿಕ್ನ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ವಿಭಾಗದ ಸಹಯೋಗದೊಂದಿಗೆ ಸುಧಾರಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳ ಜರ್ನಲ್ನಲ್ಲಿ ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ ಸುಧಾರಣೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುವ ಒಂದು ಪ್ರಬಂಧವನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿತು. ಇದನ್ನು ಮೆಮೊರಿ ಶೇಖರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವೆಂದು ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು "ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ನಂತಹ ಡೇಟಾ ಶೇಖರಣಾ ಮೆಮೊರಿಯ ಅಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು, ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂನಂತಹ ಕಾರ್ಯನಿರತ ಮೆಮೊರಿಯ ವೇಗ, ಶಕ್ತಿ-ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ" ಅಂದರೆ ಇದು ಹಾರ್ಡ್ ಡ್ರೈವ್ನಂತೆ ಡೇಟಾವನ್ನು ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಲಂಕಸ್ಟೆರ್ ತಂಡವು ಕಾರ್ಯದಲ್ಲಿರುವ ತತ್ವಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲು ಕೆಲವು ಮೂಲಭೂತ ಪ್ರಯೋಗಗಳನ್ನು ನಡೆಸಿದರೂ, ಅಲ್ಟ್ರಾ ರಾಮ್ ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ಉಳಿದಿದೆ. ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ತಯಾರಿಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಉತ್ತಮಗೊಳಿಸಲು ಮತ್ತು ಅಲ್ಟ್ರಾ ರಾಮ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಲು ಮತ್ತು ಅಳೆಯಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕೆಲಸ ನಡೆಯುತ್ತಿದೆ ಎಂದು ಲ್ಯಾಂಕಾಸ್ಟರ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಸಂಶೋಧಕರು ಹೇಳುತ್ತಾರೆ. ಇತಿಹಾಸ 2023 ರಲ್ಲಿ ಅಲ್ಟ್ರಾರಂ ಅನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಕ್ವಿನಸ್ ಕಂಪನಿಯನ್ನು ರಚಿಸಲಾಯಿತು. ಮೆಮೊರಿ ಕಾನ್ಸೆಪ್ಟ್ ಯು. ಎಲ್. ಟಿ. ಆರ್. ಎ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ ಎಂಬುದು ಚಾರ್ಜ್-ಆಧಾರಿತ ಮೆಮೊರಿಯಾಗಿದ್ದು, ಅಲ್ಲಿ ತರ್ಕ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಎಫ್. ಜಿ. ಯಲ್ಲಿ (ಫ್ರಂಟ್ ಗೇಟ್) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಉಪಸ್ಥಿತಿ ಅಥವಾ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಫ್. ಜಿ. ಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಣ ದ್ವಾರದಿಂದ (ಸಿ. ಜಿ.) ಆಲ್2ಒ3 ಅವಾಹಕದಿಂದ ಮತ್ತು ಆಧಾರ ವಾಹಿನಿಯಿಂದ ಐ. ಎನ್. ಎ. ಎಸ್./ಆಲ್ಎಸ್. ಬಿ. ಟಿ. ಬಿ. ಆರ್. ಟಿ ಹೆಟೆರೊಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನವಾಗಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಫ್. ಜಿ. ಯಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯು (ಲಾಜಿಕ್ 0 ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸುವುದು) ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಐಎನ್ಎಎಸ್ ಚಾನೆಲ್ನಲ್ಲಿ ವಾಹಕಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಅದರ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಮೂಲ (ಎಸ್) ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ (ಡಿ) ಸಂಪರ್ಕಗಳ ನಡುವೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ ಚಾನೆಲ್ ಮೂಲಕ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಅಳೆಯುವ ಮೂಲಕ ಎಫ್. ಜಿ. ಯ ಚಾರ್ಜ್ ಸ್ಥಿತಿ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ, ಮೆಮೊರಿಯ ತರ್ಕ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ರಚನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಓದಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೆಮೊರಿಯ ಅಂತಿಮ ಅಂಶವೆಂದರೆ ಐಎನ್ಎಎಸ್ ಬ್ಯಾಕ್-ಗೇಟ್ (ಬಿಜಿ), ಇದು ವಿವಿಧ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳಿಗಾಗಿ ಗೇಟ್ ಸ್ಟ್ಯಾಕ್ಗೆ ಅಡ್ಡಲಾಗಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ಲಂಬವಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಸ್ಮರಣೆಗೆ ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ನವೀನತೆಯು ಟಿಬಿಆರ್ಟಿ (ಟ್ರಿಪಲ್ ಬ್ಯಾರಿಯರ್ ರೆಸೋನೆಂಟ್ ಟನಲಿಂಗ್) ರಚನೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ಏಕ ಪದರದ ಅಡೆತಡೆಗಳಿಗಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ಕೇವಲ ± 2.5 ವಿ ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚು ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರೋಧಕ ಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ವಾಹಕ ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದು. ಇದನ್ನು ಆಲ್ಎಸ್ಬಿ ಅಡೆತಡೆಗಳು ಮತ್ತು ಐಎನ್ಎಎಸ್ ಕ್ಯೂಡಬ್ಲ್ಯೂ (ಕ್ವಾಂಟಮ್ ವೆಲ್) ಪದರಗಳ ದಪ್ಪವನ್ನು ಎಚ್ಚರಿಕೆಯಿಂದ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವ ಮೂಲಕ ಸಾಧಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೆಮೊರಿಯು ಧಾರಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರುವಾಗ, ಅಂದರೆ, ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಯಾವುದೇ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸದಿದ್ದಾಗ, ಟಿಬಿಆರ್ಟಿ ಕ್ಯೂಡಬ್ಲ್ಯೂಗಳಲ್ಲಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗ್ರೌಂಡ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳು ಪರಸ್ಪರ ತಪ್ಪಾಗಿ ಜೋಡಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿಯುತವಾಗಿ ಐಎನ್ಎಎಸ್ ಎಫ್ಜಿ ಮತ್ತು ಚಾನೆಲ್ ಪದರಗಳ 300 ಕೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಜನಸಂಖ್ಯೆಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತವೆ. ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಅನುರಣನ-ಸುರಂಗದ ರಚನೆಗಾಗಿ ಅಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲಿ ವಾಸಿಸುವ ಕ್ಯೂಡಬ್ಲ್ಯೂ ನೆಲದ ಸ್ಥಿತಿಗಳಿಂದ ಅಸ್ಥಿರತೆ ಬಲಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣವೆಂದರೆ ಅಲ್ಟ್ರಾಥಿನ್ ಕ್ಯೂಡಬ್ಲ್ಯೂಗಳು ಮತ್ತು ಐಎನ್ಎಗಳಲ್ಲಿನ ಅಸಾಧಾರಣ ಕಡಿಮೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಯ ಸಂಯೋಜನೆ. ಈ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ, ಟಿ. ಬಿ. ಆರ್. ಟಿ. ಯು ಎಫ್. ಜಿ. ಯ ಒಳಗೆ ಅಥವಾ ಹೊರಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವರ್ಗಾವಣೆಯನ್ನು ತಡೆಯುವ ದೊಡ್ಡ ತಡೆಗೋಡೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸಾಧನದಾದ್ಯಂತ ಸೂಕ್ತವಾದ ಪಕ್ಷಪಾತದ ಅನ್ವಯವು ವಹನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ತಿರುಗಿಸುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ ಟಿಬಿಆರ್ಟಿ ಕ್ಯೂಡಬ್ಲ್ಯೂ ನೆಲದ ಸ್ಥಿತಿಗಳು ಚಾನೆಲ್ನಲ್ಲಿ (ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ) ಅಥವಾ ಎಫ್ಜಿ (ಅಳಿಸುವ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ) ಆಕ್ರಮಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯಾಗುತ್ತವೆ. ಇದು ಪ್ರತಿಧ್ವನಿಸುವ ಸುರಂಗದ ಅಂತರ್ಗತವಾಗಿ ವೇಗದ ಕ್ವಾಂಟಮ್-ಯಾಂತ್ರಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಉದ್ದೇಶಿತ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಟಿಬಿಆರ್ಟಿ ಪ್ರದೇಶದಾದ್ಯಂತ ವೇಗವಾಗಿ ಚಲಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಧನದ ಪ್ರತಿ ಯೂನಿಟ್ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದಿಂದಾಗಿ, 10−17 ಜೆ ನ ಅಲ್ಟ್ರಾಲೋ ಲಾಜಿಕ್ ಸ್ಟೇಟ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಶಕ್ತಿಗಳನ್ನು 20 ಎನ್. ಎಂ. ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯದ ಗಾತ್ರದ ಯು. ಎಲ್. ಟಿ. ಆರ್. ಎ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಮೆಮೊರಿಗಳಿಗೆ ಊಹಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಮತ್ತು ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದ ಎರಡು ಮತ್ತು ಮೂರು ಕ್ರಮಗಳು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎನ್ಎಂ-ಸ್ಕೇಲ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಮೂಲಕ ಈ ಅಲ್ಟ್ರಾಲೋ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಅರಿತುಕೊಳ್ಳುವ ಮೊದಲು, ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್-ಸ್ಕೇಲ್ ಸಾಧನಗಳ ಮೂಲಭೂತ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಮೊದಲು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಬೇಕು ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿಸಬೇಕು. ಜಿಎಎಎಸ್ ತಲಾಧಾರಗಳಲ್ಲಿ ಬೆಳೆದ ಅಲ್ಟ್ರಾಮ್ ಮೂಲಮಾದರಿಯ ಸಾಧನಗಳು ಈ ಹಿಂದೆ ಪ್ರಯೋಗ-ಸೀಮಿತ, ಸಾಧನ-ಸೀಮಿತವಲ್ಲದ, 105 ಸೆಕೆಂಡುಗಳ ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಧಾರಣ ಮತ್ತು 106 ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ-ಅಳಿಸುವಿಕೆಯ ಚಕ್ರಗಳ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿವೆ. ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲಾದ ಎಫ್. ಜಿ. ಯನ್ನು ತರ್ಕ '0' ಎಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಚಾರ್ಜ್ ಇಲ್ಲದಿರುವುದನ್ನು ತರ್ಕ '1' ಎಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಮತ್ತು ಎರೇಸ್ ಸೈಕಲ್ಗಳು, ಕ್ರಮವಾಗಿ ಎಫ್. ಜಿ. ಯನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಹೊರಹಾಕಲು, ಸಿ. ಜಿ. ಯಲ್ಲಿ ≤ ± 2.55 ವಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಲ್ಸ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. ಸಬ್ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯದ ಗಾತ್ರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಚಾನೆಲ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು <100 mV/dec ನ ಸಬ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ಸ್ವಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಈ ಹಿಂದೆ ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಲ್ಯಾಂಕಾಸ್ಟರ್ ತಂಡವು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಿದ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ 350 ಎಂ. ವಿ. ಯ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿಂಡೋ ಇರುವುದರಿಂದ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ-ಆಫ್ ಚಾನೆಲ್ನ ಅನುಷ್ಠಾನದೊಂದಿಗೆ ಯು. ಎಲ್. ಟಿ. ಆರ್. ಎ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ನ 0/1 ಕರೆಂಟ್ ಕಾಂಟ್ರಾಸ್ಟ್ ಮೂರು ದಶಕಗಳಿಗೆ ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಬಹುದು. ಚಾನೆಲ್ನ ಎಚ್ಚರಿಕೆಯ ಮಾರ್ಪಾಡಿನ ಮೂಲಕ 0/1 ಕಾಂಟ್ರಾಸ್ಟ್ನ ಅಂತಹ ಸುಧಾರಣೆಯು ಹೊಸ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ RAM ವಾಸ್ತುಶಿಲ್ಪದೊಂದಿಗೆ ಮೆಮೊರಿ ಸರಣಿಗಳನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಪ್ರಾಮುಖ್ಯತೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿನ ಯು. ಎಲ್. ಟಿ. ಆರ್. ಎ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಯು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಜಿಎಎ ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕ ವೇಫರ್ಗಳಲ್ಲಿನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಹಿಂದಿನ ಅವತಾರಗಳನ್ನು ಮೀರಿಸುತ್ತದೆ, ಕನಿಷ್ಠ 1000 ವರ್ಷಗಳ ದತ್ತಾಂಶ ಶೇಖರಣಾ ಸಮಯಗಳು, ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗ (ಸಾಧನದ ಗಾತ್ರಕ್ಕಾಗಿ) ಮತ್ತು ಕನಿಷ್ಠ 10 ದಶಲಕ್ಷ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ-ಅಳಿಸುವ ಸೈಕ್ಲಿಂಗ್ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ಗಿಂತ ನೂರರಿಂದ ಸಾವಿರ ಪಟ್ಟು ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ. ಈ ಸಂಶೋಧನೆಯ ನೇತೃತ್ವ ವಹಿಸಿರುವ ಲಂಕಸ್ಟೆರ್ನ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ವಿಭಾಗದ ಪ್ರೊಫೆಸರ್ ಮನುಸ್ ಹೇಯ್ನ್, "ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೇಲಿನ ಅಲ್ಟ್ರಾ ರಾಮ್ ನಮ್ಮ ಸಂಶೋಧನೆಗೆ ಒಂದು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಗತಿಯಾಗಿದೆ, ದೊಡ್ಡ ಸ್ಫಟಿಕದ ಜಾಲರಿಯ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯಿಲ್ಲದ, ಧಾತುವಿನಿಂದ ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕಕ್ಕೆ ಬದಲಾವಣೆ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಸಂಕೋಚನದಲ್ಲಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳ ಅತ್ಯಂತ ಮಹತ್ವದ ವಸ್ತುಗಳ ಸವಾಲುಗಳನ್ನು ಜಯಿಸುತ್ತದೆ" ಎಂದು ಹೇಳಿದರು. ಪ್ರಶಂಸೆಗಳು ಆಗಸ್ಟ್ 11,2023 ರಂದು, ಇದು 17 ನೇ ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿ ಶೃಂಗಸಭೆಯಲ್ಲಿ (ಎಫ್ಎಂಎಸ್ 2023) "ಅತ್ಯಂತ ನವೀನ ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿ ಸ್ಟಾರ್ಟ್ಅಪ್" ಪ್ರಶಸ್ತಿಯನ್ನು ಗೆದ್ದುಕೊಂಡಿತು. ಫ್ಲೋಟಿಂಗ್-ಗೇಟ್ MOSFET ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ರ್ಯಾಪ್ ಫ್ಲ್ಯಾಷ್ ಡೈನಾಮಿಕ್ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ ಉಲ್ಲೇಖಗಳನ್ನು ಸಹ ನೋಡಿ ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಪ್ರಚಾರ ವೀಡಿಯೊಃ https://www.youtube.com/watch?v=iz-sYyfojw4 ದತ್ತಾಂಶ ಸಂಗ್ರಹಣೆ