इस वाक्य का एक अधिक जटिल संस्करण उत्पन्न करें MODFETs का निर्माण एक तनावपूर्ण SiGe परत की उप-अक्षीय वृद्धि द्वारा किया जा सकता है।
बेशक, वाक्य का एक अधिक जटिल संस्करण है "MODFETs तनावग्रस्त SiGe परत की उप-वृद्धि द्वारा निर्मित किया जा सकता है, जिसमें जर्मेनियाम सामग्री लगभग 40 - 50% तक बढ़ जाती है। "