William Shockley
William Shockley syntyi 13. helmikuuta 1910 Lontoossa. Hänen isänsä, amerikkalainen William Hillman Shockley, toimi kaivosinsinöörinä ja puhui kahdeksaa eri kieltä. William Shockleyn äiti, amerikkalainen Mary o.s. Bradford, oli valmistunut Stanfordin yliopistosta ja myös hän työskenteli kaivosteollisuudessa Nevadassa. Kolme vuotta Shockleyn syntymän jälkeen perhe palasi takaisin Yhdysvaltoihin vuonna 1913.
William Shockley
Shockleyn tavoitteena oli vahvistin, jossa puolijohteessa kulkevan sähkövirran suuruutta voitaisiin säätää sähkökentällä. Laitetta ei saatu toimimaan eikä sähkökenttä näyttänyt tunkeutuvan aineeseen, jolloin Bardeen päätteli, että varaukset puolijohteen pinnassa estivät kentän tunkeutumisen syvemmälle puolijohteeseen. Bardeen ja Brattain työskentelivät tämän ongelman ratkaisemiseksi käytännössä ilman Shockleyta, kun he onnistuivat puolivahingossa saamaan ensimmäisen transistorin toimimaan 16. joulukuuta 1947. Ensimmäisenä transistorivahvistimena toimi germaniumpala, johon toisiaan lähelle oli kytketty kultakontaktit. Tällaista transistoria kutsuttiin pistekontaktitransistoriksi. Komponentti nimettiin Bellin laboratoriossa transistoriksi siksi, että laitteessa virta ohjasi jännitettä, eli kyseessä oli transresistanssi (siirtoresistanssi). Transistori on siis lyhenne transresistanssista.