Samsung Electronics kompaniyasi Santa-Klaradagi (Kaliforniya, AQSh) Flash Memory Summit 2016 tadbirida 32 Tbayt li qattiq disk (SSD) taqdim qildi. Ma’lum qilinishicha, disk 512 Gb li, 4 avlod xotira flesh-chiplari Vertical NAND (V-NAND) asosida yaratilgan. V-NAND texnologiyasi flesh-xotira kristallarining vertikal bo‘yicha komponovka qilinishini ko‘zda tutadi: bu mikrochipning 3 o‘lchamli strukturasini olishga va maydon birligiga saqlanadigan ma’lumotning miqdorini bir necha barobar oshirishga imkon beradi. Yangi diskda 16 ta qatlamga birlashtirilgan 512 ta V-NAND chipi qo‘llangan. Yig‘indida ular 32 Tbayt lik xotira beradi. Disk 2,5 dyuym o‘lchamdagi shaklda bajarilgan; uni ulash uchun Serial Attached SCSI (SAS) interfeysi qo‘llanadi. Qurilma korporativ sinfdagi qurilmalarda foydalanish uchun mo‘ljallangan. Diskni ommaviy ravishda keyingi yildan ishlab chiqarish rejalashtirilmoqda. Uning narxi haqida hozircha ma’lumot berilmagan.