Sản phẩm chip nhớ V-NAND thế hệ 4 của Hãng điện tử Samsung. Ảnh: Yonhap/TTXVN.
Samsung Electronics ước đầu tư khoảng 26 tỷ USD vào trang thiết bị trong năm nay, chiếm hơn 20% tổng đầu tư dự kiến của các hãng sản xuất chip. IC Insights cho hay Samsung dự kiến sẽ phân bổ 14 tỷ USD cho mảng bộ nhớ 3D NAND flash (công nghệ 3D NAND giúp gia tăng mật độ và dung lượng bộ nhớ lên đáng kể), tiếp theo là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) với khoảng 7 tỷ USD và các xưởng đúc khoảng 5 tỷ USD.
IC Insight nhận định: hoạt động đầu tư mạnh mẽ chưa từng thấy của Samsung có thể sẽ dẫn tới tình trạng dư cung trên thị trường 3D NAND flash. Tình trạng dư thừa đó không chỉ do mức đầu tư lớn cho mảng 3D NAND flash của Samsung mà còn do các đối thủ cạnh tranh phản ứng trước hoạt động đầu tư của Samsung, trong đó có SK hynix Inc. và Micron Technology Inc.
Samsung Electronics Co. đã phải tạm ngưng hoạt động dây chuyền sản xuất điện thoại thông minh trong một thời gian ngắn và sơ tán tất cả công nhân sau khi trận động đất mạnh 5,4 độ richter làm rung chuyển thành phố duyên hải Pohang, Hàn Quốc chiều ngày 15/11. Trong khi đó, theo thông tin từ nhà sản xuất chip lớn thứ hai của Hàn Quốc là SK hynix Inc., các cơ sở của SK hynix Inc đặt tại Gyeonggi và tỉnh Chungcheongbuk-do đều hoạt động bình thường.
Minh Hằng (Theo Yonhap).
