text: Deceni pì tardi, i progresi ne ła tecnołogia multi-porta ga rexo posibiłe ła ridusion de strumenti come i tranxistor a efeto de canpo a l’osido de metało (MOSFET) a livełi de nanoscała pì picołi de 20 nm de longhesa de ła porta, a scomisiàr dal FinFET (tranxistor a efeto de canpo Fin), un MOSFET a dopio-gate tridimensionałe, non-planare.