text: Deghinas de annos a pustis, sos progressos de sa tecnologia multi-gate ant permìtidu de iscalare sos dispositivos MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) finas a livellos de nanoiscala minores de 20 nm de longària de gate, moende dae su FinFET (fin field-effect transistor), unu MOSFET a tres dimensiones, non planare, a dòpiu gate.