text: Godu dasmytus vāluok vairuoku vuortu tehnologeju atteisteiba ļuove samazynuot metala oksida pusvadeituoju lauka efekta tranzistoru (MOSFET) īreicis leidz nanomārūga leiminim, kas ir mozuoki par 20 nm vuortu lelumu, suocūt ar FinFET (fin lauka efekta tranzistors), treisdimenseju, naplaknis, dubultūs vuortu MOSFET.