text: Dëxeñe d’anni apreuvo, i progresci inta tecnologia multi-gate an permisso de scallâ i dispoxitivi MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) fin à di livelli de nanoscâ ciù basci a-i 20 nm de longhixe de gate, comensando co-o FinFET (fin field-effect transistor), un MOSFET tridimenscionale, no planare, à doggio gate.