text: Decenni dopo, i progressi nella tecnologia multi-gate hanno permesso di scalare i dispositivi metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fino a livelli di scala nanometrica inferiori a 20 nm di lunghezza del gate, a partire dal FinFET (fin field-effect transistor), un MOSFET tridimensionale, non planare, a doppia porta.