text: Heta ary rire, tembiporupyahu akãrapu'ãve rire tuicha oipytyvõ ojehasa hag̃ua umi dispositivo de transistor oguerekóva efecto de campo umi semiconductor de óxido de metal (MOSFET) gui, escala nanométrica michĩvéva 20 nm de longitud de puerta peve, oñepyrũvo FinFET ndi (transistor de efecto de campo de aleta), peteĩ MOSFET tridimensional, ndaijojáiva, hokẽ mokõiva.