Kjo detyrë ka të bëjë me leximin e një fragmenti të dhënë dhe ndërtimin e një pyetjeje rreth informacionit të pranishëm në fragment. Ndërtoni një pyetje në një mënyrë të tillë që (i) ajo të jetë e paqartë, (ii) të përgjigjet nga fragmenti, (iii) përgjigja e saj është unike (iv) përgjigja e saj është një hapësirë e vazhdueshme tekste nga paragrafi. Shmangni krijimin e pyetjeve që (i) mund të përgjigjen saktësisht pa e kuptuar në të vërtetë paragrafin dhe (ii) përdor të njëjtat fjalë ose fraza të dhëna në fragment.
Për shkak se lëvizshmëria e elektronëve është më e lartë se lëvizshmëria e vrimës për të gjitha materialet gjysmëpërçuese, një tranzistor bipolar n<unk>p<unk>n i dhënë ka tendencën të jetë më i shpejtë se një tranzistor p<unk>n<unk>p ekuivalent. GaAs ka lëvizshmërinë më të lartë të elektronëve nga tre gjysmëpërçuesit. Kjo është arsyeja pse GaAs përdoret në aplikime me frekuencë të lartë. Një zhvillim relativisht i fundit i FET, tranzistori me lëvizshmëri të lartë elektronike (HEMT), ka një heterostructure (përbindje midis materialeve të ndryshme të gjysmëpërçuesve) të arsenidit të galit të aluminit (AlsenGaAs) - aridës së galit (GaAs) i cili ka dy herë lëvizshmërinë e elektronëve të një lidhjeje barriere GaAs-metalike. Për shkak të shpejtësisë së tyre të lartë dhe zhurmës së ulët, HEMTs përdoren në pranuesit satelitor që punojnë në frekuenca rreth 12 GHz. HEMTs bazuar në galit
Cila është më e shpejtë, një transistor bipolar n-p-n apo një transistor p-n-p?