C-V特性曲线

C-V特性曲线（电容电压特性曲线）是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时，电容被测出。方法是使用金属-半导体结（肖特基势垒）或者PN结或者场效应管来得到耗尽层（其中载流子被全部抽走，但仍然有离子化的施主或晶体缺陷）。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。

应用

该测量方法可以得到关于半导体掺杂，晶体缺陷之类的特性。

金属-氧化物-半导体结构的C-V特性

金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的一部分，用来控制晶体管沟道中势垒的高低。
对于一个n沟道MOSFET来说，该结构的工作特性可分为三个部分，分别与右图对应：

累积

考虑一个p型的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当给电容器加负电压时，电荷增加（如C-V曲线右侧所示）。

耗尽

相反，当一个正的电压VGB施加在闸极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少（称为耗尽，如C-V曲线中间所示），电子的浓度会增加。

反型

当VGB够强时，接近闸极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer），如C-V曲线右侧所示。
MOS电容的特性决定了金氧半场效晶体管的操作特性，但是一个完整的金氧半场效晶体管结构还需要一个提供多数载流子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的汲极。