摩尔定律

摩尔定律（英语：Moore's law）是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出的。其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔两年便会增加一倍；经常被引用的“18个月”，是由英特尔首席执行官大卫·豪斯（David House）提出：预计18个月会将芯片的性能提高一倍（即更多的晶体管使其更快），是一种以倍数增长的观测。
半导体行业大致按照摩尔定律发展了半个多世纪，对二十世纪后半叶的世界经济增长做出了贡献，并驱动了一系列科技创新、社会改革、生产效率的提高和经济增长。个人电脑、因特网、智能手机等技术改善和创新都离不开摩尔定律的延续。
尽管摩尔定律的现象已经被观察到了数十年，摩尔定律仍应该被视为是对现象的观测或对未来的推测，而不是一个物理定律或自然界的规律，从另一角度看，未来的增长率在逻辑上无法保证会跟过去的数据一样，也就是逻辑上无法保证摩尔定律会持续下去。虽然预计摩尔定律将持续到至少2020年。然而，2010年国际半导体技术发展路线图的更新增长已经在2013年年底放缓；又比如说英特尔在22纳米跟14纳米的CPU制程上已经放慢了技术更新的脚步，之后的时间里，晶体管数量密度预计只会每三年增加一倍。

过去的发展历程

随着器件尺寸越来越接近物理极限，研发新一代的工艺节点时，仅缩小器件尺寸是不够的。多家研究机构和半导体公司都在试图改善晶体管结构设计，以尽可能地延续摩尔定律。
高介电常数（high-k）闸极介电层（gate dielectric）的出现使得闸极对电流的控制更有效，从45nm节点开始被采用。
多闸极晶体管将闸极对电流的控制从沟道的一个表面增加到了三个表面，从22nm节点开始被采用。

未来展望

为了让摩尔定律延续到更小的器件尺度，学术界和工业界在不同的材料、器件结构和工作原理方面的探索一直在进行中。
探索的问题之一是晶体管的闸极设计。随着器件尺寸越来越小，能否有效的控制晶体管中的电流变得越来越重要。相比于三面都有闸极的多闸极晶体管，纳米线晶体管将闸极四面围住，从而进一步改善了闸极对电流的控制。

摩尔定律还能持续多久

随着新工艺节点的不断推出，晶体管中原子的数量已经越来越少，种种物理极限制约着其进一步发展。比如当闸极长度足够短的时候，量子隧穿效应就会发生，会导致漏电流增加。关于摩尔定律的终点究竟还有多远，看法并不一致。有预测认为摩尔定律的极限将在2025年左右到来，但也有更乐观的预测认为还能持续更久。AMD EPYC CPU 64C 128T (ES)已经遗反了

另一种说法

摩尔定律虽然以戈登·摩尔的名字命名，但最早提出摩尔定律相关内容的并非摩尔，而是加州理工学院教授卡弗·米德。米德是最早关注到摩尔定律所提出的晶体管之类的产量增加，就会引起其价格下降的现象。米德指出，如果给定价格的电脑处理能力每两年提高一倍，那么这一价位的电脑处理设备同期就会降价一半。