磁阻效应

磁阻效应（英语：Magnetoresistance，简称MR）是指材料之电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。有多种可以称为磁阻的效应：一些发生在大量非磁性金属和半导体中，例如几何磁阻，Shubnikov de Haas振荡或金属中常见的正磁阻 。其他的效应发生在磁性金属中，例如铁磁体中的负磁阻或各向异性磁阻（AMR）。

发现

磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文勋爵发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”（ordinary magnetoresistance, OMR）。他尝试了铁片，发现当电流与磁力方向相同时，电阻增加，当电流与磁力成90°时，电阻降低。然后他用镍做了同样的实验，发现它以同样的方式受到影响，但效果更大。这种效应被称为各向异性磁阻（AMR）。
在2007年，阿尔贝·费尔（Albert Fert）和彼得·格林贝格（Peter Grünberg）共同获得诺贝尔奖，因为发现巨磁阻效应。