江崎玲於奈

早年生活与教育

江崎玲于奈在1925年出生于日本大阪中河内郡高井田村（现在的东大阪市），成长于京都。江崎家毗邻京都帝国大学与同志社大学校园，父亲江崎壮一郎是一位建筑师，哥哥是毕业于京都帝大的铁道工程师。他在同志社中学首次接触基督教与美国文化，从第三高等学校毕业后考入东京帝国大学学习物理学。他曾于1944年10月在东大参加汤川秀树开设的核子理论课。当时也曾亲历东京大轰炸。
江崎分别在1947年、1959年获得东京大学学士、博士学位。

江崎二极管

江崎玲于奈在大学毕业后进入川西机械制作所（现富士通天）工作，起初进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作，因受到约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利发明晶体管的鼓舞，他转而研究重掺杂的锗和硅。1956年转入东京通信工业株式会社（现Sony）担任半导体研究室主任研究员，进行PN结二极管研究。经过一年的尝试后得知，每当锗的PN结宽度变薄时，穿隧效应就会影响电流- 电压之特性，随着电压增加，电流反而减小，这说明了负电阻。此一发现是物理学中首次出现的固体穿隧效应，也是电子学中的一个新型电子器件：江崎二极管（或称隧道二极管）的诞生。由于此一突破性发明，1959年他获得了东大博士学位。
江崎在1973年因“发现半导体和超导体的穿隧效应”，与挪威物理学家伊瓦尔·贾埃弗及英国物理学家布赖恩·约瑟夫森共同获得诺贝尔物理学奖。基于颁奖典礼的排序，江崎成为世界第一位从卡尔十六世·古斯塔夫国王手中接过诺贝尔奖奖章、奖状的诺贝尔奖得主。2015年3月，日本茨城吾妻2丁目的中央公园设置了江崎、小林诚、朝永振一郎的铜像，以彰显3位诺贝尔物理学奖得主的功绩。

超晶格

江崎玲于奈在1960年移居美国，加入IBM汤玛斯·华森研究中心，然后在1967年成为IBM院士。他预测，如果半导体晶体中人为地构建一维周期性结构变化，将可形成半导体超晶格，并引起诸如差分负电阻效应等独特现象。他开发了名为“分子束外延”的薄膜晶体生长方法，可以在超高真空中相当精确地调节。他的第一篇关于半导体超晶格的论文发表于IBM时期的1970年，他在1987年曾对这篇原始论文提出如下的注释：
“《物理评论》评审因缺乏想像力而拒绝出版原始论文，认为该论文太过投机性，没有崭新的物理思想。” 然而，这个想法很快就被美国陆军研究办公室所接受
1972年，江崎在III-V族半导体中实现了他的超晶格概念，后来这个概念影响了许多领域，如金属和磁性材料。他因“对隧道、半导体超晶格和量子井的贡献和领导”荣获1991年IEEE荣誉奖章，也因“创造和实现人造超晶格晶体的概念，致发新材料的生成与有效的应用”荣获1998年日本国际奖。赤崎勇、天野浩、中村修二获得2014年诺贝尔物理学奖后，江崎翌日（10月8日）与赤崎进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因。2015年5月3日，中村在与JAXA负责人川口淳一郎的对谈中自称“尤其尊敬的人物”是江崎。江崎发明的超晶格对LED至为重要。

返日后的活动

江崎玲于奈在1992年返日担任筑波大学校长（至1998年），2000年担任一届芝浦工业大学校长，并应首相之邀加入教育改革国民会议。2003年担任奈米技术科学奖“江崎玲于奈奖”的选考委员。2006年以来担任横滨药科大学的校长。

轶事

江崎玲于奈是少数不以日语罗马化作为外语姓名的日本人。他新起“Leo”一名取代日语原名的“Reona”（玲于奈）。亦即，在汉字系统以外，通行“Leo Esaki”此一姓名。