電子束檢測

概述

电子束检测（Electrons Beam inspection，简称E-beam inspection、EBI），用于半导体元件的缺陷(defects)检验，以电性缺陷(Electrical defects)为主，形状缺陷(Physical defects)次之。
相较于探针式(Probe)电性量测，电子束检测具有两个显著优势，能在制作电子元件的过程中，快速反应制程问题，(一)即时性。能够线上(in line)检测缺陷状况。(二)预判性。无须制作电极(electrode pad)即可检出。进一步说明，元件的良率及电性表现必须在整体元件制程完成后，才能以固定式探针设备量测得其结果，在分秒必争的半导体产业，电子束检测可以提前多道制程，既可知道元件缺陷状况，这是一个显著的时效优势，使得此技术被广泛的应用在电子产业上。

检测原理

其检测方式，是利用电子束扫描待测元件，得到二次电子成像的影像 ，根据影像的灰阶值(Gray level)高低，以电脑视觉比对辨识，找出图像中的异常点(abnormal)，视为电性缺陷，例如，在正电位模式下(Positive model)，亮点显示待测元件为短路(short)或漏电(leakage)，暗点则为断路(open)。
其工作原理是利用电子束直射待测元件，大量的电子瞬间累积于元件中，改变了元件的表面电位(surface potentail)，当表面电位大于0 (相对于元件的基板(substrate)电位)，称为正电位模式(Positive model)，反之，称为负电位模式(Negative model)。