舛岡富士雄

生平

舛冈富士雄于1943年在日本群马县高崎市诞生。群马县立高崎高等学校毕业，日本东北大学工学部毕业后进入“半导体先生”西泽润一的研究室。1971年取得工学博士（东北大学）并加入东芝公司，开发SAMOS内存。他对非挥发性内存的点子有高度兴趣，这是一种在电源关闭后，还能保存资料的内存。他在1980年发明NOR型快闪存储器，1986年发明NAND型快闪存储器，推动东芝成为世界半导体产业的巨头，彻底改写人类信息时代的面貌。
舛冈在1994年返回担母校东北大学任教，1996年成为东北大学电気通信研究所教授。2004年起担任Unisantis公司电子首席技术官。
继续研究三维构造半导体Surrounding Gate Transistor(SGT)技术。

专利诉讼

在很长一段时间中，东芝公司不承认NOR型快闪存储器是舛冈富士雄的发明，直到电机电子工程师学会（IEEE）在1997年授予舛冈IEEE Morris N. Liebmann纪念奖后才改口。2006年舛冈起诉东芝，索赔10亿日元，最后达成和解得到8700万日元（合758,000美元）。