憶阻器

背景

在蔡少棠教授1971年的论文中，他外推了对称的非线性电阻（电压与电流），非线性电容器（电压与电荷），和非线性电感（磁通量与电流）之间的的概念，并推断出忆阻器作为一个类似于基本的非线性电路元件的，连接磁链和电荷。对比线性（或非线性）的电阻，忆阻器有一个动态的包括过去的电压或电流的记忆的电流和电压之间的关系。其他科学家已经提出动态记忆电阻器，例如伯纳德建模的存储电阻器，但是，蔡试图引进数学一般性。

实现

Intel与Micron联合研发的3D XPoint。（Intel表示所用并不是ReRAM，根据推断，为相变存储器的可能性更大，此条消息存疑。）厂商表示，此技术的密度是DRAM的十倍、速度是NAND的千倍、写入次数为10,000,000次。

潜在应用

威廉姆斯的固态的忆阻器可以组合成所谓交叉开关锁存器的设备，这可能会取代晶体管建造未来的电脑，占用面积小得多。

电化电池

忆阻器具有电化电池表现的特征。

固态

2007年惠普公司资讯与量子系统实验室的研究人员在理查德·斯坦利·威廉姆斯的领导下成功研制了固态的忆阻器－它是由一片双层的二氧化钛薄膜所形成，当电流通过时，其电阻值就会改变。固态的忆阻器的制造需要涉及物料的纳米技术。这个忆阻器并不像其理论般涉及磁通量，或如电容器般储存电荷，而是以化学技术来达至电阻随电流历史改变的性质。
不过，三星集团却有一项正申请专利的忆阻器，采用了类似惠普公司的技术。故此谁是忆阻器的创始人则有待澄清。
目前(2008)惠普公司是以两层二氧化钛薄膜来制作忆阻器元件 ，其中一层掺杂。

可能应用

其元件特性，适合模拟神经元突触的部分运作，使得电脑神经网络制作上更能接近人脑。
威廉姆斯的固态忆阻器可以组合成晶体管，尽管小得多。They can also be fashioned into non-volatile solid-state memory, which would allow greater data density than hard drives with access times potentially similar to DRAM, replacing both components.
HP has reported that its version of the memristor is about 10 times slower than DRAM .
Some patents related to memristors appear to include applications in programmable logic, signal processing, neural networks, and control systems.