수광 소자(Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정 결과보고서 (반도체 도핑, 고유 반도체와 비고유 반도체, N형 도핑, P형 도핑, 운반자 농도, P-N 접합, 광다이오드(Photo diode), 동작 원리, 재료, 특징)
hall effect - Hall 전압과 자기선속 밀도간의 비례관계를 통한 전하 운반자의 극성, 밀도 측정	광소자 극성판별하는 방법	led	결정질 실리콘 태양전지 제조공정 & 고효율 태양전지 제조공정	MOS Capacitor(커패시터)의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정 - MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다, C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.	수광소자 Si와 Ge의 사인파형에 따른 출력파형을 측정하여 이론값과 비교한 결과 이론값과 거의 유사한 파형을 측정 할 수 있었으며, 전압 전류 특성 그래프를 오실로스코프를 측정한 결과 각각 0.3, 0.7V의 동작전압을 측정할 수 있었다. 하지만 PD다이오드의 실험은 PD의 작동문제로 실험을 하지 못했다.	INTRODUCTION
반도체 도핑
고유 반도체와 비고유 반도체
N형 도핑
P형 도핑
운반자 농도
P-N 접합
광다이오드( Photo diode)
동작 원리, 재료, 특징
반도체가 전자공학에서 많이 활용되는 중요한 이유 중에는, 불순물을 조금만 첨가해서 반도체의 특성을 크게 바꿀 수 있다는 점이 있다. 이러한 과정을 도핑이라 하고, 넣는 불순물을 도펀트라고 한다.
반도체에 불순물을 많이 첨가하면, 반도체의 전도율이 10억 배 이상 증가한다. 이러한 특성 때문에 오늘날에는 집적회로를 만들 때, 불순물이 많이 첨가된 다결정 실리콘을 금속대신에 사용하기도 한다.
고유 반도체는 불순물이 반도체의 전기적 성질에 영향을 미치지 않을 만큼 적게 들어 있는 순수한 반도체를 가리킨다. 이러한 경우에 모든 운반자는 열이나 빛에 의해 들떠서 생긴 전자와 양공뿐이다. 고유 반도체에 열이나 빛이 가해지면, 전자로 가득 차 있던 가전자대에서 전자가 튀어나와서 전도띠로 이동하는 것이다. 그러므로 고유반도체에서는 전자와 양공이 같은 수로 존재한다.
Si, Ge 다이오드 특성 측정 실험
실험은 다음 과 같이 진행되었다. 먼저 광통신 실험보드 본체의 LD bias current 조절 다이얼, Amplitude of Function 조절 다이얼, Frequency 조절 다이얼의 수치를 0에 두고 오실로스코프와 연결을 하였다. 그다음 HBE-OPT-202 본체의 상단 중앙에 있는 Freq. range 딥 스위치중 1번만 ON을 하고 본체 우측 하단에 위치한 Receive Signal, Display Select Switch, Select Function을 각각 Si, LED-IN, ~의 위체에 두고 중앙에 위치한 3단자 토글스위치를 LED로 정해 놓았다. 그런뒤 오실로스코프를 이용해 Frequency가 4에서 7사이의 값이 되도록 하고 Amplitude of Function의 수치를 10을 맞춰 Si와 Ge의 파형을 측정한 결과 다음과 같다.
[1] 위키백과 반도체 [http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4]
[2] 위키백과 광 다이오드 [http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%99%80%ED%8A%B8]
수광소자,	특성,	측정,	결과,	수광소자의 특성,	사인파형,	오실로스코프,	반도체 도핑
(결과) 교류회로 소자의 특성	교류회로소자(인덕터,커패시터)의 특성	광전자소자의 특성	반도체 소자의 특성 곡선	결과-광 커넥터 및 광 수동소자 특성 측정	예비-광 커넥터 및 광 수동소자 특성 측정	예비-발광소자(LED,LD) 특성 측정	수광 소자(Si,Ge diodes 및 PD) 특성 측정	Oxidation 공정과 Evaporation 을 통해 제작한 nMOS capacitor 소자의 전기적 특성	[전자공학실험] RLC 소자의 특성, 교류회로 소자의 임피던스 결과리포트	반도체소자의 특성곡선	R, L, C 소자의 특성	수광 소자(Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정 결과보고서 (반도체 도핑, 고유 반도체와 비고유 반도체, N형 도핑, P형 도핑, 운반자 농도, P-N 접합, 광다이오드(Photo diode), 동작 원리, 재료, 특징)	TTL 소자들의 특성<디지털회로실험//경희대학교>	광전자 소자 (포토커플러) 특성 실험	수학은 역시 횡단수학인강!
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