Trong năm 1966, ông phát minh ra bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM), được cấp bằng sáng chế vào năm 1968. Dennard cũng là một trong những người đầu tiên nhận ra tiềm năng to lớn của việc thu nhỏ MOSFET. Lý thuyết mở rộng quy mô mà ông và các đồng nghiệp của ông xây dựng vào năm 1974 cho rằng MOSFET tiếp tục hoạt động như các công tắc được kiểm soát điện áp trong khi tất cả các số liệu chính về giá trị như mật độ bố trí, tốc độ hoạt động và hiệu quả năng lượng được cải thiện <unk> miễn là kích thước hình học, điện áp và nồng độ doping được mở rộng một cách nhất quán để duy trì cùng một trường điện. Tài sản này là nền tảng cho sự thành tựu của Định luật Moore và sự phát triển của vi điện tử trong vài thập kỷ qua. Câu hỏi
Năm 1966