この文章に基づき、集積回路（IC）用の半導体材料を準備するために使用されるプロセスを箇条書きで挙げてください。
IC用の半導体材料を作るには、いくつかのプロセスを組み合わせる。ひとつは熱酸化と呼ばれるプロセスで、シリコンの表面に二酸化シリコンを形成する。これはゲート絶縁膜やフィールド酸化膜として使用される。他のプロセスは、フォトマスクとフォトリソグラフィーと呼ばれる。この工程は、集積回路の回路上にパターンを形成するものである。紫外線がフォトレジスト層とともに使用され、回路のパターンを生成する化学変化を起こす。

エッチングは次に必要な工程である。前の工程でフォトレジスト層に覆われていなかったシリコンの部分をエッチングすることができます。現在一般的に使用されている主なプロセスは、プラズマエッチングと呼ばれるものです。プラズマ・エッチングでは通常、低圧チャンバー内にエッチング・ガスを送り込み、プラズマを発生させます。一般的なエッチングガスは、クロロフルオロカーボン、またはより一般的に知られているフロンである。カソードとアノード間の高周波電圧が、チャンバー内でプラズマを発生させる。シリコン・ウェハーは陰極に置かれ、プラズマから放出される正電荷を帯びたイオンが当たる。その結果、シリコンは異方的にエッチングされる。

最後のプロセスは拡散と呼ばれる。これは、半導体材料に望ましい半導体特性を与えるプロセスである。ドーピングとも呼ばれる。このプロセスでは、システムに不純物原子が導入され、pn接合が形成される。不純物原子をシリコンウェーハに埋め込むために、ウェーハはまず摂氏1,100度のチャンバーに入れられる。原子は注入され、やがてシリコンと一緒に拡散する。この工程が完了し、シリコンが室温に達すると、ドーピング工程が終了し、集積回路に使用できる半導体材料が完成する。
-熱酸化
-フォトマスク/フォトリソグラフィー
-エッチング（主にプラズマエッチング）
-拡散/ドーピング