b"\n_START_ARTICLE_\nCollegamento su wafer\n_START_PARAGRAPH_\nIl collegamento su wafer, noto anche con l'espressione inglese wafer bonding, \xc3\xa8 una cosiddetta tecnologia di impacchettamento a livello di wafer (wafer-level packaging technology) per la fabbricazione di sistemi microelettromeccanici (microelectromechanical systems, MEMS), di sistemi nanoelettromeccanici (nanoelectromechanical systems, NEMS), di microelettronica e optoelettronica, che garantisce un incapsulamento meccanicamente stabile ed ermeticamente sigillato. Il diametro dei wafer varia da 100\xc2\xa0mm a 200\xc2\xa0mm (da 4 pollici a 8 pollici) per gli MEMS/NEMS e fino a 300\xc2\xa0mm (12 pollici) per la produzione di dispositivi microelettronici.\n_START_SECTION_\nValutazione\n_START_PARAGRAPH_\nI wafer collegati sono caratterizzati allo scopo di valutare il rendimento di una tecnologia, la forza del collegamento e il livello di ermeticit\xc3\xa0, o per i dispositivi fabbricati o ai fini dello sviluppo di processo. Perci\xc3\xb2, sono emersi diversi metodi per la caratterizzazione del legame. Da un lato si usano metodi ottici non distruttivi per trovare crepe o vuoti interfacciali accanto a tecniche distruttive per la valutazione della forza del legame, come le prove di tensione o di taglio. Dall'altro lato si sfruttano le propriet\xc3\xa0 peculiari di gas accuratamente selezionati o il comportamento vibratorio dipendente dalla pressione di microrisonatori per le prove di ermeticit\xc3\xa0."