b"\n_START_ARTICLE_\nSpecchio di corrente\n_START_PARAGRAPH_\nUno specchio di corrente (in inglese current mirror) \xc3\xa8 una particolare configurazione di dispositivi elettronici realizzata per riprodurre fedelmente in un ramo di un circuito elettronico la corrente circolante in un altro ramo dello stesso circuito._NEWLINE_La corrente da riprodurre pu\xc3\xb2 essere costante o variabile a seconda dell'utilizzo._NEWLINE_Teoricamente, uno specchio di corrente non \xc3\xa8 altro che un amplificatore di corrente a guadagno unitario._NEWLINE_In pratica, diversi fattori impediscono di ottenere nei due rami del circuito correnti perfettamente identiche.\n_START_SECTION_\nFunzionamento\n_START_PARAGRAPH_\nIl transistor Q\xe2\x82\x81 \xc3\xa8 collegato in modo da funzionare come un diodo polarizzato direttamente._NEWLINE_La corrente attraverso di esso (dipendente da R1 e Vs) \xc3\xa8 determinata essenzialmente dal valore di R1 finch\xc3\xa9 Vs \xc3\xa8 sufficientemente maggiore di 0.7V, la tipica tensione VBE di conduzione per un transistor a giunzione bipolare al silicio._NEWLINE_\xc3\x88 importante che Q\xe2\x82\x81 sia un transistor e non un diodo, perch\xc3\xa9, se i dispositivi sono pressoch\xc3\xa9 identici, _NEWLINE_la corrente di base dei due transistor sar\xc3\xa0 uguale, dato che la tensione VBE \xc3\xa8 la stessa._NEWLINE_Con uguale corrente di base, la coppia di transistori identici avr\xc3\xa0 anche corrente di collettore uguale finch\xc3\xa9 sar\xc3\xa0 VCE2 non troppo maggiore di VBE._NEWLINE_Se VCE2 \xc3\xa8 molto maggiore di VBE, la corrente di collettore in Q\xe2\x82\x82 sar\xc3\xa0 in qualche modo maggiore di quella in Q\xe2\x82\x81 a causa dell'effetto Early; inoltre, la temperatura di Q\xe2\x82\x82 pu\xc3\xb2 essere sostanzialmente diversa rispetto a quella di Q\xe2\x82\x81 per via della differente potenza dissipata._NEWLINE_Per questo i due transistori non si potranno pi\xc3\xb9 considerare identici._NEWLINE_Nei circuiti integrati l'uguaglianza della temperatura dei due transistor \xc3\xa8 abbastanza facile da ottenere, mentre in un circuito con componenti discreti bisogner\xc3\xa0 avere cura di mantenere i due transistor alla stessa temperatura per un funzionamento ottimale._NEWLINE_\xc3\x88 possibile collegare altri transistor uguali allo stesso modo di Q2 per riprodurre la stessa corrente in altri lati del circuito, anche con diversi valori della resistenza R2. Tuttavia ogni transistor supplementare aggiunger\xc3\xa0 la sua corrente di base a quella di R1, sottraendola alla corrente di collettore di Q1; se il beta \xc3\xa8 sufficientemente grande questo non \xc3\xa8 un problema con pochi transistori pilotati, ma lo diventa se questo sono abbastanza da rendere la IB totale richiesta non trascurabile rispetto alla IC di Q1. Se ci\xc3\xb2 si verifica \xc3\xa8 possibile ripristinare una situazione accettabile sostituendo il collegamento collettore base di Q1 con un altro transistore collegato all'alimentazione (specchio di corrente con cancellazione della corrente di base).\n_START_SECTION_\nFunzionamento\n_START_PARAGRAPH_\nI transistor T\xe2\x82\x81 e T\xe2\x82\x82 operano in regione di saturazione._NEWLINE_In queste condizioni la corrente di uscita I\xe2\x82\x92\xe1\xb5\xa4\xe2\x82\x9c sar\xc3\xa0 dipendente direttamente da Iref. _NEWLINE_ID \xc3\xa8 funzione della tensione di drain del transistor secondo la relazione ID = f(VGS). _NEWLINE_Questa funzione dipende dalla tecnologia del MOSFET. _NEWLINE_Nel caso dello specchio di corrente, desideriamo ottenere ID = Iref._NEWLINE_Iref \xc3\xa8 nota ed \xc3\xa8 la corrente di riferimento. _NEWLINE_Dalla stessa relazione otteniamo I\xe2\x82\x92\xe1\xb5\xa4\xe2\x82\x9c.  I\xe2\x82\x92\xe1\xb5\xa4\xe2\x82\x9c = ID \xc3\xa8 anche una funzione di VGS. _NEWLINE_I terminali source e gate dei due transistor sono in comune, per cui i due transistor hanno la stessa VGS._NEWLINE_Poich\xc3\xa9 possiamo derivare VGS da Iref in base alle propriet\xc3\xa0 del transistor, la relazione f(VGS) = I\xe2\x82\x92\xe1\xb5\xa4\xe2\x82\x9c pu\xc3\xb2 essere applicata per determinare I\xe2\x82\x92\xe1\xb5\xa4\xe2\x82\x9c = Iref. _NEWLINE_Questo principio regge se T\xe2\x82\x81 e T\xe2\x82\x82 sono pressoch\xc3\xa9 identici, soprattutto in propriet\xc3\xa0 come lunghezza del canale e concentrazione dei dopanti. Si dice che i MOS devono essere matched, accoppiati. Il matching \xc3\xa8 una tecnica di layout per tecnologia MOS che permette di minimizzare le imprecisioni dovute a fluttuazioni statistiche nella realizzazione dei dispositivi elettronici._NEWLINE_L'equazione di Id che descrive questo principio \xc3\xa8 \xe2\x80\x93_NEWLINE_ _NEWLINE_dove,_NEWLINE_\xce\xbc\xe2\x82\x99 e C sono costanti dipendenti dal transistor, W/L \xc3\xa8 il rapporto ampiezza lunghezza del canale, VGS \xc3\xa8 la tensione gate-source, VTh \xc3\xa8 la tensione di soglia, \xce\xbb \xc3\xa8 la costante di modulazione di canale, e VDS \xc3\xa8 la tensione tra drain e source."