b'\n_START_ARTICLE_\nJFET\n_START_PARAGRAPH_\nIl transistor ad effetto di campo a giunzione o jFET (acronimo dell\'inglese "junction gate Field-Effect Transistor", comunemente pronunciato "g\xc3\xa8ifet") \xc3\xa8 un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).\n_START_SECTION_\nFunzionamento\n_START_PARAGRAPH_\n\xc3\x88 un dispositivo costruito come sandwich di semiconduttori drogati in modo diverso (P-N-P o N-P-N)._NEWLINE_L\'intero funzionamento si basa sull\'estensione della zona di svuotamento (depletion layer) all\'interno di un canale, in seguito alla polarizzazione inversa di una giunzione, che viene localizzata tra il terminale di gate e quello di source._NEWLINE_Il canale in cui transita la corrente pu\xc3\xb2 essere di tipo N o di tipo P. Le estremit\xc3\xa0 del canale sono collegate a due terminali: il source ed il drain. Per contraddistinguere_NEWLINE_questi due terminali, possiamo paragonare il source all\'emettitore del transistor bipolare, ed il drain al collettore. A differenza del transistor bipolare per\xc3\xb2 i terminali non sono fissi ma la loro posizione dipende dai potenziali applicati. Diventa morsetto drain quello a potenziale maggiore. L\'elemento di controllo (analogo alla base del transistor bipolare) si chiama gate e viene realizzato attraverso una giunzione che, polarizzata inversamente (nel caso P-N-P), ostruir\xc3\xa0 il passaggio di carica nel canale. Il gate viene collegato con il bulk e polarizzato ad un potenziale inferiore al source (e al drain). Si crea pertanto una zona di svuotamento. Diminuendo ulteriormente la tensione di gate rispetto al source, la zona di svuotamento si estender\xc3\xa0 ulteriormente fino a produrre una chiusura del canale (CUT-OFF): in tal caso, l\'applicazione di una differenza di potenziale fra drain e source non comporter\xc3\xa0 alcun passaggio di carica e il dispositivo risulter\xc3\xa0 interdetto. In particolari condizioni di polarizzazione il canale risulter\xc3\xa0 invece strozzato (ma non chiuso, PINCH-OFF) e anche aumentando la tensione tra drain e source la corrente rimarr\xc3\xa0 costante poich\xc3\xa9 i portatori raggiungono la velocit\xc3\xa0 massima consentita dalla fisica del materiale._NEWLINE_Il jFET \xc3\xa8 un dispositivo unipolare, poich\xc3\xa9 solo i portatori maggioritari che costituiscono il canale si occupano della conduzione._NEWLINE_Al contrario del transistor bipolare, la cui grandezza di controllo \xc3\xa8 la corrente di base, i FET sono controllati in tensione e la corrente assorbita dal gate risulta pertanto molto bassa. \xc3\x88 inoltre possibile realizzare jFET con due gate: questi dispositivi sono molto utilizzati per la realizzazione di mixer a transconduttanza, utilizzabili per conversione di frequenza anche in microonde.'