b"\n_START_ARTICLE_\nEsperimento di Haynes-Shockley\n_START_PARAGRAPH_\nNella fisica dei semiconduttori, l'esperimento di Haynes\xe2\x80\x93Shockley evidenzia le propriet\xc3\xa0 di trasporto della carica elettrica (lacune ed elettroni) con il metodo del tempo di volo. L'esperimento venne descritto in un breve articolo de Haynes e Shockley nel 1948, e poi in un lavoro pi\xc3\xb9 dettagliato firmato da Shockley, Pearson, e Haynes nel 1949. Nell'esperimento possono essere misurate mobilit\xc3\xa0, vita media e coefficiente di diffusione dei portatori di carica minoritari._NEWLINE_Nell'esperimento originale si utilizzava una batteria per creare un campo elettrico lungo una sbarretta di semiconduttore monocristallino drogato, e in un punto del campione, si iniettava mediante un contatto a punta (emettitore), un breve impulso di portatori minoritari di carica in eccesso rispetto alla distribuzione di equilibrio, i quali venivano trasportati dal campo elettrico lungo il campione. Le cariche in eccesso venivano raccolte da un secondo contatto a punta (collettore). Un modo alternativo per iniettare le cariche in eccesso \xc3\xa8 quello di usare un raggio laser pulsato per che produce nella zona illuminata del semiconduttore un eccesso di lacune ed elettroni (effetto fotoelettrico interno)."