b"\n_START_ARTICLE_\nFloating Gate MOSFET\n_START_PARAGRAPH_\nIn elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, \xc3\xa8 un transistor ad effetto di campo la cui struttura \xc3\xa8 simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato ed il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO\xe2\x82\x82. Questa struttura \xc3\xa8 un condensatore, ed \xc3\xa8 capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash._NEWLINE_Nei FGMOS a canale n l'iniezione di carica pu\xc3\xb2 avvenire in due modi, per hot carriers injection, come nel caso delle memoria Flash, o per effetto tunnel, come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale p si usa il fenomeno di breakdown a valanga, utilizzato nella programmazione delle EPROM.\n_START_SECTION_\nStruttura\n_START_PARAGRAPH_\nUn FGMOS consiste in uno standard MOS al quale \xc3\xa8 stato aggiunto il Floating Gate, isolato elettricamente da due strati di SiO\xe2\x82\x82, tra il substrato ed il Control Gate. Lo strato isolante di SiO\xe2\x82\x82 che separa il FG dal substrato deve essere sufficientemente sottile da permettere l'iniezione di cariche, mentre lo strato che lo separa dal Control Gate deve essere spesso a sufficienza da non consentire la fuoriuscita di carica dal dispositivo._NEWLINE_Vi sono numerose varianti di questo schema, tra le quali alcune presentano l'aggiunta di pi\xc3\xb9 terminali di gate per transistor al fine di poter memorizzare pi\xc3\xb9 di un bit di informazione. Il processo di iniezione delle cariche, in particolare, modifica la struttura del dispositivo."