b'\n_START_ARTICLE_\nJFET\n_START_SECTION_\nHistoria\n_START_PARAGRAPH_\nEl f\xc3\xadsico austro-h\xc3\xbangaro Julius Edgar Lilienfeld solicit\xc3\xb3 en Canad\xc3\xa1 en el a\xc3\xb1o 1925\xe2\x80\x8b y en los Estados Unidos en los a\xc3\xb1os 1926\xe2\x80\x8b y 1928\xe2\x80\x8b\xe2\x80\x8b patentes para un dispositivo que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, pero no lo construy\xc3\xb3. _NEWLINE_En 1947, los f\xc3\xadsicos estadounidenses William Shockley, Walter Houser Brattain y John Bardeen fracasaron en sus intentos de construir un transistor de efecto de campo, pero cuando analizaban las fallas que su dise\xc3\xb1o presentaba, descubrieron el transistor de contacto de punto por el cual los dos \xc3\xbaltimos solicitaron una patente el 17 de junio de 1948\xe2\x80\x8b_NEWLINE_En 1951, Wiliam Shockley solicit\xc3\xb3 la primera patente de un transistor de efecto de campo,\xe2\x80\x8b tal como se declar\xc3\xb3 en ese documento, en el que se mencion\xc3\xb3 la estructura que posee en la actualidad. Al a\xc3\xb1o siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron \xc3\xa9xito al fabricar este dispositivo,\xe2\x80\x8bcuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.\xe2\x80\x8b\n_START_SECTION_\nEcuaci\xc3\xb3n de entrada\n_START_PARAGRAPH_\nMediante la gr\xc3\xa1fica de entrada del transistor tambi\xc3\xa9n llamada Curva  caracter\xc3\xadstica de transferencia universal, a la izquierda de la figura adjunta, se pueden deducir las expresiones anal\xc3\xadticas que permiten analizar matem\xc3\xa1ticamente el funcionamiento de este. As\xc3\xad, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento._NEWLINE_En la regi\xc3\xb3n activa del JFET, siempre que la tensi\xc3\xb3n entre puerta y fuente VGS sea menor que el m\xc3\xb3dulo de la tensi\xc3\xb3n de estrangulamiento o estricci\xc3\xb3n, en la cual el JFET cae en la zona de saturaci\xc3\xb3n, V\xe2\x82\x9a tambi\xc3\xa9n llamada VGS(off) , la curva de valores l\xc3\xadmite de ID viene dada por la expresi\xc3\xb3n: _NEWLINE_Los puntos incluidos en esta curva representan la corriente ID y la tensi\xc3\xb3n VGS en la zona de saturaci\xc3\xb3n, mientras que los puntos del \xc3\xa1rea bajo la curva representan la zona \xc3\xb3hmica. Si |VGS| > |V\xe2\x82\x9a| (zona de corte) la corriente de drenaje es cero (ID=0).\n_START_SECTION_\nEcuaci\xc3\xb3n de salida\n_START_PARAGRAPH_\nEn la gr\xc3\xa1fica de salida tambi\xc3\xa9n llamada curva caracter\xc3\xadstica de drenaje, a la derecha de la figura, se pueden observar con m\xc3\xa1s detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la corriente de drenaje aumenta progresivamente seg\xc3\xban lo hace la tensi\xc3\xb3n de salida drenaje-fuente (VDS). Esta curva viene dada por la expresi\xc3\xb3n:\xe2\x80\x8b_NEWLINE_ _NEWLINE_en la cual "k" es: _NEWLINE_Puede suponerse que , siendo: _NEWLINE_Por tanto, en esta zona y a efectos de an\xc3\xa1lisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor R\xe2\x82\x92\xe2\x82\x99, con lo que se observa una relaci\xc3\xb3n entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le llame zona \xc3\xb3hmica. A partir de una determinada tensi\xc3\xb3n VDS la corriente ID deja de aumentar, qued\xc3\xa1ndose fija en un valor al que se denomina ID de saturaci\xc3\xb3n o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresi\xc3\xb3n:_NEWLINE_La corriente de saturaci\xc3\xb3n IDSAT, caracter\xc3\xadstica de cada JFET, puede calcularse reescribiendo la ecuaci\xc3\xb3n de entrada y, usando para "k" la expresi\xc3\xb3n ya mencionada, queda:'