b"\n_START_ARTICLE_\nBalistisk transistor\n_START_PARAGRAPH_\nEn ballistisk transistor (BDT - forkortet fra engelsk Ballistic deflection transistors) er en elektronisk komponent, der er ved at blive udviklet for h\xc3\xb8jhastigheds integrerede kredsl\xc3\xb8b. I stedet for at skifte str\xc3\xb8mmen af adskillige elektroner ved at anvende gates, som det er gjort med MOSFETs, manipulerer BDTs kursen af de enkelte elektroner ved at anvende elektromagnetiske kr\xc3\xa6fter. De frit str\xc3\xb8mmende elektroner bliver dirigeret til en af siderne om en kileformet forhindring (en 'afb\xc3\xb8jer') p\xc3\xa5 en af de to mulige veje, som svarer til en logisk '1' eller '0'._NEWLINE_Et tidligere anvendt elektronr\xc3\xb8r kaldet et beam-deflection tube anvendte samme funktionalitet.\n_START_SECTION_\nFordele\n_START_PARAGRAPH_\nFordele er mindre st\xc3\xb8rrelse, reduceret st\xc3\xb8j, lavere effektbelastning og h\xc3\xb8jere hastigheder (op til terahertz-omr\xc3\xa5det). En forskningsprototype er blevet lavet. Teknikken unders\xc3\xb8ges pt (2006) af University of Rochester."