삼성전자 8나노 공정기술 개발…5G이동통신용 반도체 서비스 강화
삼성전자가 차세대 ‘8나노 RF(Radio Frequency) 공정기술’을 개발, 5G 이동통신용 반도체 파운드리 서비스 강화에 나선다. 

9일 삼성전자에 따르면 8나노 RF 파운드리로 멀티 채널과 멀티 안테나 등을 지원하는 5G통신용 RF칩을 원칩 솔루션으로 제공해 서브 6GHz부터 밀리미터파(mmWave)까지 5G 통신 반도체 시장을 적극 공략키로 했다. 

삼성전자는 지난 2015년 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작한 후 지난 2017년 업계 최초 본격 양산을 시작한 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대했다. 

RF 칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선 주파수로 바꿔주고 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체다. 

주파수 대역 변경과 디지털-아날로그 신호 변환을 하는 로직 회로 영역과 주파수 수신, 증폭 등의 역할을 하는 아날로그 회로영역으로 구성된다. 

이 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정 대비 RF 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있으며 전력효율도 약 35% 향상된다. 

삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 ‘RFeFET™(RF extremeFET)’를 개발해 8나노 RF 공정에 적용했다. 

삼성전자 관계자는 “지난 2017년부터 지금까지 프리미엄 스마트폰을 중심으로 5억개 이상의 모바일 RF 칩을 출하하며 시장 리더십을 유지하고 있다”며 “최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장을 적극 대응해 나갈 것”이라고 말했다. 

전력의 입출력이 14나노보다 8나노 RF 작업에서 어느 정도 나아졌어
약 35%