삼성전자[005930]가 오는 3월 세계 처음으로 70나노급 낸드플래시 본격 양산에 들어가는 데 이어 오는 7월 첫 300㎜ 전용 생산라인을 가동하는 등 낸드플래시 부문 주도권 강화에 대대적으로 나선다. 이에 더해 하이닉스도 사업 다각화 차원에서 낸드플래시 생산라인 증설 작업을본격화, 한국 반도체업계가 차세대 캐시카우로 떠오르고 있는 낸드 플래시 `역량 키우기'에 박차를 가하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 낸드 플래시 양산 라인에 70나노(1나노=10억분의 1) 공정을 세계에서 처음으로 적용해 70나노급 4기가 낸드플래시 양산에본격 착수, 나노 공정의 선두주자임을 다시 한 번 과시할 예정이다. 반도체의 회로선 폭을 줄이면 생산량이 그만큼 늘어나 원가가 큰 폭으로 줄어드는 효과가 있는데, 70나노 공정을 도입하면 기존의 90나노에 비해 40% 가량 생산량이 늘어나게 된다. 앞서 삼성전자는 지난해 9월 머리카락 굵기의 2천분의 1인 60나노 8기가 낸드플래시 메모리를 세계 최초로 개발하는데 성공했으며 그동안 양산 기준으로는 90나노급이 최고 미세 공정이었다. 삼성전자는 지난해 4분기 현재 낸드 플래시 생산에 90나노급 이하 공정 비중을90% 수준으로까지 끌어올린데 이어 이번 70나노 기술의 양산 적용으로 70나노급 비중을 올 1분기 5%에 이어 2분기에는 10-15% 수준으로까지 높일 계획이다. 이와 함께 삼성전자는 이달 4일 장비 반입식을 갖는 등 오는 7월 가동을 목표로기흥 14라인 생산 준비에 막바지 피치를 올리고 있다. 삼성전자는 14라인의 생산량을 초기 월 7천매로 출발, 연말께 1만5천매에 이어5만매 수준으로까지 확충할 계획이다. 삼성전자는 낸드플래시 전용 라인으로 7,8 라인을 보유하고 있으나 300㎜급 전용 라인은 14라인이 최초여서 70나노 공정 양산 도입에 이은 14라인 가동으로 낸드플래시 생산량은 큰 폭으로 늘어날 전망이다. 탁월한 저장능력이 장점인 낸드형 플래시는 디지털 카메라, MP3, 캠코더, 3G 및카메라폰 등의 폭발적 증가와 함께 큰 폭의 성장이 예상되는 플래시 메모리 반도체분야로 삼성전자의 경우 지난해 낸드플래시 부문에서 전년 대비 66.2%나 성장한 35억3천만달러 매출로 55.7%의 세계 시장 점유율을 기록, 부동의 1위를 재확인했다. 낸드플래시는 올해 처음으로 노어플래시를 앞지르는 것을 시작으로 시장규모도2006년 107억달러로 급증할 것으로 관측되고 있다. 지난 80년 이래 PC를 기반으로 성장해 온 D램이 설계.공정기술을 주도해왔다면,디지털가전.모바일기기 기반의 플래시메모리쪽으로 무게 중심의 이동이 가속화 되고있으며 삼성전자도 최근 "올해는 낸드플래시의 해가 될 것"이라고 표현한 바 있다. ST마이크로와 전략적 제휴를 맺고 지난해 2월 512Mb 낸드 플래시 메모리 개발에성공, 낸드 플래시 부문에 뛰어든 하이닉스도 지난해 3분기에 청주 9라인을 낸드플래시 전용 라인으로 전환, 생산량 증설에 본격적인 시동을 걸었다. 하이닉스는 지난해 3분기만 하더라도 7-8%에 그쳤던 낸드플래시 비중을 올해 10% 중반대까지 높일 계획이며 시장 상황에 따라 내년 가동 예정인 중국내 합작 공장도 낸드플래시용으로 가동하는 방안도 검토중이다. 하이닉스는 낸드플래시 생산량 확충으로 D램 의존도를 줄인다는 복안으로 사업진출 첫 해인 지난해 낸드 플래시 부문에서 세계 4위(점유율 3.5%)에 진입했다. 삼성전자, 하이닉스의 낸드 역량 강화 움직임은 2위 업체인 도시바가 입지 굳히기에 나선 가운데 마이크론, 인피니온의 사업 진출이 가시화되는 등 시장 경쟁이 격화되고 있는 이 시장에서 장악력을 더욱 공고히 하기 위한 포석으로 풀이된다. 업계 관계자는 "낸드 시장의 성장세로 올 하반기 극심한 공급부족 현상이 나타나면서 한국의 주도권도 강화될 전망"이라고 전했다.
삼성전자는 70나노급 4기가 낸드플래시 양산에본격 착수해서 어떻게 할 예정이야?
나노 공정의 선두주자임을 다시 한 번 과시할 예정