В них тонкий слой базы стали получать путём диффузии в твёрдом теле атомов соответствующих примесей, использовать материал с относительно низким удельным сопротивлением коллекторной области; получавшаяся частота среза достигала 600 и более МГц.
In them, the thin base layer was obtained by diffusion in the solid body of atoms of corresponding impurities, and a material with relatively low specific resistance to the collector area was used; the resulting cutting frequency reached 600 MHz or more.
В них был получен тонкий базовый слой путем рассеивания в твердых телах атомов соответствующих примесей и использовался материал со сравнительно низкой удельной сопротивляемостью поверхности, получаемая частота режущей части достигла 600 МГц и более.