▁D iva <0x0A> </s> ▁Gal li um ▁ar sen ide ▁( G a As ) ▁is ▁a ▁comp ound ▁of ▁the ▁elements ▁gal li um ▁and ▁ar sen ic . ▁It ▁is ▁a ▁III - V ▁direct ▁band ▁gap ▁sem icon duct or ▁with ▁a ▁z inc ▁bl ende ▁cry stal ▁structure . ▁ ▁Gal li um ▁ar sen ide ▁is ▁used ▁in ▁the ▁manufact ure ▁of ▁devices ▁such ▁as ▁mic row ave ▁frequency ▁integrated ▁circ uits , ▁mon ol ith ic ▁mic row ave ▁integrated ▁circ uits , ▁inf ra red ▁light - em itting ▁di odes , ▁las er ▁di odes , ▁solar ▁cells ▁and ▁optical ▁windows . ▁ ▁Ga As ▁is ▁often ▁used ▁as ▁a ▁substr ate ▁material ▁for ▁the ▁ep it ax ial ▁growth ▁of ▁other ▁III - V ▁sem icon duct ors , ▁including ▁ind ium ▁gal li um ▁ar sen ide , ▁al umin um ▁gal li um ▁ar sen ide ▁and ▁others . ▁ ▁Pre par ation ▁and ▁chem istry ▁In ▁the ▁comp ound , ▁gal li um ▁has ▁a ▁+ 3 ▁ox id ation ▁state . ▁Gal li um ▁ar sen ide ▁single ▁cry st als ▁can ▁be ▁prepared ▁by ▁three ▁industrial ▁processes : ▁The ▁vertical ▁gradient ▁free ze ▁( V G F ) ▁process ▁( most ▁Ga As ▁w af ers ▁are ▁produced ▁using ▁this ▁process ). ▁Cry stal ▁growth ▁using ▁a ▁horizontal ▁zone ▁furn ace ▁in ▁the ▁Br id g man - Sto ck bar ger ▁technique , ▁in ▁which ▁gal li um