section_heading: Silicijski detektor s površinskom barijerom
paragraph_text: Silicijski detektor s površinskom barijerom izrađuju se od monokristala silicija tipa N, na kojemu se oksidacijom stvara sloj tipa P. Kontakt na sloju P načinjen je naparavanjem zlata ili rodija, a na osnovnom sloju N naparavanjem aluminija. Priključivanjem detektora na zaporni napon (tip N na pozitivan, a tip P na negativan priključak naponskog izvora) stvara se uz spoj N-P osjetljivi sloj iz kojeg su uklonjeni pokretni nosioci naboja. Ako se želi postići veća debljina osjetljivog sloja, potreban je silicij veće čistoće (električni otpori u području 10 do 100 Ωm), te kvalitetna obrada i izolacija, kako bi se mogao primijeniti visok zaporni napon. Za neke primjene, kao što je otkrivanje teških iona, kojima je doseg relativno kratak, upotreljavaju se detektori male debljine osjetljivog sloja.