section_heading: P-N spojevi
paragraph_text: P-N spoj se može stvoriti dopiranjem susjednih područja poluvodiča s p-tipom i n- tipom donora. Ako je pozitivni napon polarizacije spojen na sloj p-tipa tada su dominantni pozitivni nosioci (šupljine) gurnute prema spoju. Istovremeno, dominantni negativni nosioci (elektroni) u materijalu n-tipa su privučeni prema spoju. Sve dok postoji mnoštvo nosioca na spoju, spoj se ponaša kao vodič, i napon spojen na krajevima p-n spoja stvara struju. Kako su oblaci šupljina i elektrona primorani da se preklapaju, elektroni padaju u šupljine i postaju dio populacije nepomičnih kovalentnih veza. Međutim, ako je polarizacijski napon okrenut, šupljine i elektroni su odvučeni od spoja. Stoga se na spoju stvara vrlo mali broj novih parova elektron/šupljina, postojeći slobodni nosioci su natjerani da ostave osiromašeni sloj, (koji je vrlo uzak i nalazi se između p i n sloja); područje razmjerno nevodljivog silicija. Reverzni napon polarizacije stvara samo vrlo malu struju (struja curenja) kroz spoj. P-n spoj je osnova elektroničke komponente koja se zove dioda, koja omogućava tok električnog naboja u samo jednom smjeru. Slično se može dopirati i treće područje poluvodiča, dopiranjem n-tipa ili p-tipa se formira komponenta s tri izvoda, kao što je bipolarni spojni tranzistor (koji može biti p-n-p ili n-p-n).