section_heading: Najnoviji trendovi
paragraph_text: Jedan od ključnih izazova inženjerskih budućih nanostupanjskih tranzistora je dizajn vrata. Kako se dimenzija uređaja smanjuje, upravljanje protokom struje u tankom kanalu postaje sve teže. U usporedbi s FinFETs, koji imaju dielektrik vrata s tri strane kanala, struktura svemirske kapije ima bolju kontrolu vrata. U 2010 istraživači na Nacionalnom institutu Tyndall u Corku u Irskoj najavili su tranzistor bez spoja. Kontrolna vrata omotana oko silikonske nanožice mogu kontrolirati prolaz elektrona bez upotrebe spojeva ili dopinga. Oni tvrde da se oni mogu proizvesti na 10-nanometarskoj skali koristeći postojeće tehnike izrade.<ref>