Un nuovo stile di wafer composto da gallio-nitruro su silicio (GaN-on-Si) viene utilizzato per produrre LED bianchi utilizzando wafer di silicio da 200 mm. In questo modo si evita il tipico costoso substrato di zaffiro in wafer di dimensioni relativamente piccole da 100 o 150 mm. L' apparecchio in zaffiro deve essere accoppiato ad un collettore a specchio per riflettere la luce altrimenti sprecata. Si prevede che entro il 2020, il 40% di tutti i LED GaN sarà realizzato con GaN-on-Si. La produzione di materiale zaffiro di grandi dimensioni è difficile, mentre il materiale silicio di grandi dimensioni è più economico e più abbondante. Le aziende LED che passano dall' utilizzo dello zaffiro al silicio dovrebbero essere un investimento minimo.
Entro quale anno, il% di tutti i LED GaN sarà realizzato con wafer gallio-nitride-on-silicio?
2020