
Физики из США и Германии выяснили, что один из халькогенидных материалов — теллурид серебра, индия и сурьмы — способен изменять свое электрическое сопротивление быстрее, чем за одну триллионную долю секунды. По словам ученых, такое быстрое «переключение» свойств позволит создать на основе халькогенидов новые энергонезависимые модули памяти со скоростью записи в тысячу раз превышающей современные устройства. Ранее подобные материалы применялись в перезаписываемых DVD-дисках. Исследование опубликовано в журнале Physical Review Letters (препринт), кратко о нем сообщает Physics и пресс-релиз Университета Стенфорда.Ученые измеряли время, за которое материал (Ag4In3Sb67Te26) переходит из стеклообразного (неупорядоченного) состояния в кристаллическое под действием терагерцевого излучения. Этот переход сопровождается резким изменением сопротивления. В эксперименте авторы помещали халькогенидный материал между двумя золотыми электродами и облучали его последовательными пикосекундными импульсами. Физики отслеживали изменения в структуре  с помощью рентгеновских методов.Роль терагерцевого излучения сводилась к тому, чтобы приложить к материалу электрическое поле большой напряженности. Золотые электроды в данном случае играли роль антенн, усиливающих разность потенциалов на образце. Ученым удалось добиться напряженности поля в 480 киловольт на сантиметр — сопоставимой с напряженностью перед разрядом молнии. 
