
Сотрудники Центра высокотемпературной сверхпроводимости и наноструктур ФИАН разработали метод измерения энтропии — одной из фундаментальных термодинамических функций — в тонких пленках. Благодаря новому устройству впервые удалось измерить энтропию двумерной электронной системы на границе кремния и оксида кремния. Об этом сообщает пресс-релиз агентства ФИАН-Информ, работа ученых опубликована в журнале Nature Communications.Устройство, разработанное физиками, представляет собой конденсатор, роль прослойки в котором играет изучаемая тонкая пленка. Ученые помещают его в термостат, охлажденный до температур от 2,5 до 25 кельвинов, и начинают с частотой раз в две секунды менять температуру образца с амплитудой 0,1-0,2 кельвина. В результате этого происходит изменение емкости конденсатора, связанное с изменением термодинамических свойств тонкой пленки — меняется ее химический потенциал. В согласии с соотношениями Максвелла, изменение химического потенциала напрямую связано с удельной энтропией изучаемой системы.
