Sapuluh tahun nang datang, kemajuan dalam banyak gerbang teknologi memungkinkan perhitungan skala transistor (nang menghantarkan) efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET) ke tingkat nang skalanya lebih halus dari gerbang nang panjangnya 20 nm, dimulai dari FinFET (transistor efek medan sirip), tiga dimensi, sampai ke nang MOSFET gerbang ganda non-planar.