El transistor defeutu de campu dunión (JFET), foil primer transistor defeutu de campu na práutica. Formar una barra de material semiconductor de siliciu de tipu N o P. Nos terminales de la barra establez un contautu óhmico, tenemos asina un transistor defeutu de campu tipu N de la forma más básica. Si espublícense dos rexones P nuna barra de material N y conéctense externamente ente sigo, va producise una puerta. A unu destos contactos llamarémos-y surtidor y al otru drenador. Aplicando tensión positiva entel drenador y el surtidor y coneutando la puerta al surtidor, vamos establecer una corriente, a la que vamos llamar corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativu de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción na canal.