Ярымүткәргес диодтың схемала тотошо ток—көсәнеш характеристикаһы, йәки I—V графигы менән тасуирлана (аҫтағы графикты ҡарағыҙ). Графикта бөгөлгән линияның формаһын ҡоролма йөрөтөүсе киҫәксәләрҙең ярымүткәргестәр араһындағы p—n уҙыуында урынашҡан мохтажлыҡ өлкәһе (урыҫ. зона истощения) (ирекле ҡоролма йөрөтөүсе киҫәксәләргә мохтажлыҡ мәғәнәһендә) аша хәрәкәте билдәләй. p—n уҙыуы беренсе мәртәбә хасил булгас, ирекле электрондар N-ҡушылмалы өлкәнән күп һанлы тишетләр (электрон өсөн буш урындар) булған P—ҡушылмалы өлкәгә үтәләр, һәм электрондар тишектәр менән «рекомбинациялай». Ирекле электрон тишек менән рекомбинацияланғанда, электрон да, тишек тә юҡ булалар; N яғында «ултыраҡ» уңай ҡоролған донор ҡала, ә P яғында тиҫкәре королған акцептор ҡала. p—n уҙыуы тирәһендә өлкә ҡоролма йөрөтөүсе киҫәксәләрһеҙ ҡала һәм шулай итеп үҙен изолятор кеүек тота.