El dopaxe accidental de xermaniu (Gue) con GaAs como capa amortiguadora creó circuitos de voltaxe abiertos, demostrando'l potencial del usu de los sustratos de xermaniu como otres celdes. Una celda d'uniones simples de GaAs llegó al 19 % d'eficiencia AM0 en 1993. ASEC desenvolvió la primer celda de doble unión pa les naves espaciales usaes nos EEXX, con una eficiencia d'un 20 % aprosimao.