وبعد ذلك بعقود من الزمان، أتاحت التطورات في التكنولوجيا متعددة البوابات إمكانية توسيع نطاق أجهزة الترانزستور الحقلية ذات التأثير المعدني وأكسيد أشباه الموصلات إلى مستويات على نطاق النانو أصغر من 20 نانومتر من طول البوابة، بدءاً بالترانزستور الحقلي ذي الزعنفة، وهو ترانزستور غير مستوٍ ثلاثي الأبعاد ذو بوابات مزدوجة.