У выніку двайной інжэкцыі база транзістара вельмі моцна насычаецца залішнямі электронамі, з-за чаго узмацняецца іх рэкамбінацыя з дзіркамі, і рэкамбінацыйны ток базы аказваецца значна вышэй, чым у актыўным або інверсным рэжымах.