xác định ngưỡng điện áp mosfet
Điện áp ngưỡng Điện áp ngưỡng, V, được định nghĩa là độ lệch cổng tối thiểu có thể tạo thành kênh dẫn giữa nguồn và cống. Đối với MOSFET công suất, nó thường được đo ở dòng nguồn xả 250uA. Độ dày ôxít cổng và nồng độ pha tạp của kênh có thể được sử dụng để kiểm soát V.
Chúng được phân loại theo yếu tố kích hoạt mở kênh cho các ion như vậy, tức là thay đổi điện áp (Kênh natri phụ thuộc điện áp, nhạy cảm với điện áp hoặc phụ thuộc điện áp còn được gọi là VGSC hoặc kênh Nav) hoặc liên kết của một chất ( một phối tử) đến kênh (các kênh natri tạo phối tử).