Abstract現在までに、製造プロセス中心に、組成と物性に関する幾つかの事項などを明らかにしてきている。NarpsioーVについてのみ以下に記す。(1)セラミックNarpsioーVのゾルゲル法による調製金属アルコキシドを出発原料に用いる手法によりNarpsioーV粉体の合成を行いいくつかの調製条件を整備した。NarpsioーVのセラミックスを作成し、水溶液から出発原料を合成する従来のセラミックス製造プロセスとの比較を行なった。ゾルゲル法で調製したセラミックNarpsioーVは300°Cにおいて約0.2S・cm^<ー1>のイオン電導度を示した。(2)ガラスからの結晶化とガラスセラミックNarpsioーVの物性結晶化ガラスにおいては、微量の残留ガラスがGCーNarpsioーVの物性全体に大きく影響を及ぼすが、その解析の前段階として種々のガラスNarpsioにおけるイオン導電性の主要因子を検討し、アルカリ含有量よりもアルカリ/希土類含有量の比が重要であることを明らかにした。(1)の研究成果として簡単な状態図を得た。これを基にガラスからの結晶化によるGCーNarpsioーVの製造を試みた。その状態図とはいくらか異なる生成図が加熱条件により得られることが判明した。(3)新ガラスセラミックNarpsioーV(r=g)の調製Na_2OーGd_2O_3ーP_2O_5ーSiO_2系NarpsioーVのガラスセラミックスの結晶化条件の検討と、調製条件の整備を行なった。結晶化過程のおいて前駆相の生成と組成の関係についても明らかにした。(4)NarpsioーVのフィルム化厚膜から薄膜にいたる種々の厚さのNarpsioーVのフィルム調整した。現在は各手法の条件整備中である。