トランジスタや薄膜トランジスタ等の電子デバイスの分野において、従来用いられてきたシリコンに代表される無機半導体材料に代わり、有機半導体材料が注目されている。これは、シリコン半導体材料に比べ有機半導体材料が、安価に製造することが可能であること;薄膜を用いた大面積の電子装置にも容易に使用できること;有機半導体を用いる製造工程において高温プロセスを必要としないことからプラスチック基板上への薄膜の形成が可能であること;機械的な折り曲げに対し素子特性を劣化させずにフレキシブルな大面積な装置に使用できることなどの特性を有していることに基づくものである。コストおよび大面積化といった特徴を発揮させることができる。モバイル情報端末機用の電子素子などの広範な種々の有機電子デバイスに用いられ得る。して、ペンタセン等のアセン系材料は高度に拡張されたπ電子系を有するため、ホール輸送、電子輸送性に優れ、例えば、有機半導体材料(特許文献1、特許文献2、非特許文献1および非特許文献2)、エレクトロルミセッセンス材料、有機色素、および有機顔料等に広く応用が検討されている。多くが、平面性が高く剛直であるものが多いため、分子間の相互作用が非常に強固であり、水や有機溶媒への溶解性が乏しいことが挙げられる。有機顔料として用いる場合には、顔料が凝集し易くなり分散が不安定となる。有機半導体材料およびエレクトロルミネッセンス材料を例に取ると、難溶であるため溶液プロセスの適用が難しく、真空蒸着等の気相製膜が必要になるなどの問題があり、製造コストの増加や、製造プロセスが煩雑になるといった問題が挙げられる。ある有機半導体材料の真空蒸着法による有機薄膜の形成方法および有機薄膜形成装置も提案されている(特許文献3)。有機半導体材料でもアセン系材料、特にペンタセンは、水や有機溶媒に対して溶解度が極めて低く、真空蒸着工程が必須であり、また、光ならびに酸素および/またはオゾンに対し安定性が低いことが知られている(特許文献4)。これに対して、近年レトロディールスアルダー反応を利用して、溶媒可溶性の高いペンタセンのビシクロ化合物から脱離反応により、ペンタセン等へと変換する方法が提案されている(特許文献5)。この方法では煩雑な合成ならびに脱離基の除去工程を必要とするため適用範囲が狭く、より簡便に合成可能な可溶性ペンタセン誘導体の開発が必要とされている。ペンタセンの可溶性前駆体を塗布し、加熱等により製膜する方法も提案されている(非特許文献3)。この方法では、この前駆体から脱離するテトラクロロベンゼン分子を系外に除去することが困難であり、かつテトラクロロベンゼンの毒性も問題となる。膜状体の製法が提案されている(特許文献6)。この方法では、ペンタセンの製膜は可能と思われるが、ペンタセンの光ならびに酸素および/またはオゾンに対する安定性の改善についてはなんら考慮されていない。したがって、光ならびに酸素および/またはオゾンに対して安定で、かつ有機溶媒に可溶で、スピンコート塗布、ブレードコート、グラビア印刷、インクジェット塗布、ディプコーティング塗布などのウェットプロセスへの適応可能なペンタセン誘導体が求められている。その製造方法に関する。光、酸素および/またはオゾンに対して安定なペンタセンのラジカル誘導体およびその製造方法に関する。以下の、一般式(I):【化1】[式中、基-X-は、以下の:【化2】を表し、ラジカル基-Y・は、以下の:【化3】を表す]で表されるペンタセンのラジカル誘導体。前記基-X-が、以下の式:【化4】で表されるフェニレン基である、請求項1に記載のペンタセンのラジカル誘導体。前記一般式(I)の化合物が、以下の:【化5】である、請求項1または2に記載のペンタセンのラジカル誘導体。前記一般式(I)の化合物が、以下の:【化6】である、請求項1または2に記載のペンタセンのラジカル誘導体。前記ペンタセン誘導体が、有機半導体材料である請求項1~4のいずれか1つに記載のペンタセンのラジカル誘導体。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。