(MOCVD法)および光MOCVD法をZnO膜の製膜に適用し、テクスチャー構造を有する高透過率なZnO膜の作製に成功した。その成長機構を詳細に調べた結果、Zn(OH)_2が膜形成種となりZnO膜が生成することを明らかとした。2.酸化剤としてD_2Oを用いることにより、表面形状を凹凸から平坦まで制御することに成功した。3.得られたZnO膜をa-Si太陽電池の透明導電膜および裏面反射膜に適用し、変換効率12.5%を達成した。4.原子層堆積法(ALD法)を用いることにより、ZnO膜の均一性および電気的特性を大幅に向上させることができた。ALD法によって作製したアンドープZnO膜の移動度については、膜厚220nmと薄いにも関わらず30cm^2/Vsと高い値を示した。5.ALD法においてB_2H_6を最適なタイミングでド-ピングすることにより、抵抗率を6.4×10^<-4>Ωcmまで低減することができた。6.ALD成長中に紫外光を照射する光ALD法をZnO膜作製に適用し、光照射の影響について検討した。光照射によりキャリア濃度が大幅に増加し、アンドープであるにもかかわらず基板温度136°Cにおいて抵抗率6.9×10^<-4>Ωcmと非常に低抵抗なZnO膜の作製に成功した。有するZnO透明導電膜を作製するための基礎技術が確立された。