Abstractナノスケールの新規な物質系を構築することを目的として、半導体の清浄表面上に金属内包フラーレンを蒸着させ、STMで観察することにより金属内包フラーレンと半導体の相互作用の大きさや積層のパターンの詳細な調査を行った。STSにより分子の局所的な電子状態の観察を行った。異性分離したCe@C_<82>をSi(111)-(7×7)に蒸着させ、その時の吸着状態を調べた。Si上に直接吸着したCe@C_<82>は、室温でも一つの分子に縞状の模様が観察され、その模様はトンネル電圧によって変化することがわかった。このことは、室温でもSi上のCe@C_<82>の回転は凍結していることを示唆している。吸着量を増やしていくと、最初の数層は二次元的に層形成し、その上に三次元的な島が形成されていくというStranski-Krastanov様式で結晶成長することが明らかとなった。この三次元的な島は基板を過熱することで凝集し、さらには最密充填構造をとる。最密充填時のフラーレン間距離は11.6Åであり、この値はバルク試料の粉末X線回折測定から見積もられた値と一致している。Waalsサイズと一致しており、このことは数層目のM@C_<82>分子に対するSi基板からの影響はほとんどないということを示唆する。堆積しているCe@C_<82>の室温でのSTS測定から,フェルミ準位付近に約0.7eVのエネルギーギャップが存在することがわかった。