【課題】p型ドーパントとしてホウ素(B)を用いても高エネルギー光子照射時に荷電粒子生成反応の影響を受けないダイヤモンド半導体デバイスを提供する。【解決手段】ダイヤモンド半導体デバイス100(電界効果トランジスタ)において、ダイヤモンドからなるp型領域2(エピタキシャル層)を有し、p型領域2のp型不純物は、10Bと11Bの2つの同位体を含むホウ素からなり、p型領域に含まれる同位体の濃度の比(10B/11B)は、同位体の天然存在比より小さい。概要ダイヤモンドは、約5.5eVの広い禁制帯幅を持つワイドバンドギャップ半導体であり、高い耐放射線特性や800°C程度の高温環境下でも動作が可能であるという長所を有する。使用される半導体デバイスの材料として期待されている。半導体デバイスの材料として一般的なSiと比較した場合、ダイヤモンドはγ線やX線のような高エネルギー光子に対して4桁以上高い耐性を有する。熱中性子に代表される低エネルギー中性子を照射した場合、Siでは、以下の式(1)の反応が起こり、Siに対してn型ドーパントして働くリン(P)が生成され半導体特性が劣化するが、構成元素がCであるダイヤモンドではこのような核反応は起きず、半導体特性の劣化はない。一般に、上記式(1)の核反応は、半導体のドーピング技術として用いられており、例えばダイヤモンドにドーピングした10BをLiに変換してn型ドーパントにする方法として用いられる(例えば、特許文献1参照)。本発明は、ダイヤモンド半導体デバイスに関し、特に、放射線に対して高い耐性を有するダイヤモンド半導体デバイスに関する。該p型領域に含まれる該同位体の濃度の比(10B/11B)は、該同位体の天然存在比より小さいことを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。該ソース領域、該ドレイン領域、および該活性層に含まれるホウ素は10Bと11Bの2つの同位体を含み、その濃度の比(10B/11B)は該同位体の天然存在比より小さいことを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。該導電性層に含まれるホウ素は10Bと11Bの2つの同位体を含み、その濃度の比(10B/11B)は該同位体の天然存在比より小さいことを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。上記同位体の濃度比(10B/11B)は、1/19またはそれより小さいことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のダイヤモンド半導体デバイス。上記同位体の濃度比(10B/11B)は、1/200またはそれより小さいことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のダイヤモンド半導体デバイス。上記同位体の濃度比(10B/11B)は、1/19以下でかつ1/200以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のダイヤモンド半導体デバイス。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。