1323K.コンピュータシミュレーションを用いて、ダイヤモンドと基板の界面で発生する熱ひずみによるせん断応力が計算された。この計算結果から、MoO_3の存在は、せん断応力を緩和するとともに界面の親和力を増加させる効果があると推測された。次に、ダイヤモンド合成に及ぼす表面仕上げ条件と表面粗さの影響を検討した。アルミナ粒子あるいはSiC粒子による表面仕上げと比較すると、ダイヤモンドペースト仕上げの基板表面が、もっともダイヤモンドの合成密度が高い。基板表面を粗くするほど、ダイヤモンド被膜は低い基板温度でも接合するようになる。表面粗さがRa=0.82μmでは、1323Kの基板温度でも純度の高い8面体構造のダイヤモンドを合成させ、接合させることが可能となった。