平行な書込用ワード線54を形成する。接続するように形成する。TEOS-NSG膜からなる薄い第4層間絶縁膜59を堆積させたのち、下部電極66及びスピン注入電極67が露出するまでCMPにより平坦化する。【0086】このスピン注入電極67の形成工程において、スピン注入電極67をアモルファスPtで構成するために、基板温度を50°C以下にした状態で、例えば、室温(25°C)で、成膜速度を例えば、0.1Å/分以上で成膜する。【0087】次いで、厚さが、例えば、5nmのNiFeからなるフリー層68、厚さが、例えば、1nmのMgOからなるトンネル絶縁層69、厚さが、例えば、2nmのCoFeからなるピンド層70、及び、厚さが、例えば、15nmのIrMnからなる反強磁性層71を順次堆積させることによって、磁気記憶部72を形成する。この時、磁気記憶部72の形状の長手方向がスピン注入電極67の延在方向と垂直になるように形成する。【0088】次いで、再び、TEOS-NSG膜からなる第5層間絶縁膜65を堆積させたのち、反強磁性層71及びスピン注入電極67の他端に達する接続用凹部を形成する。この凹部をTi/TiNを介してWで埋め込むことによって接続導体73及びWプラグ74を形成する。なるゲート電極と直交する方向に延在するようにパターニングして接続導体73に接続するビット線75とWプラグ74に接続する注入用配線76を形成することによって、本発明の実施例3の磁界書込型MRAMの基本構造が完成する。【0090】この本発明の実施例3の磁界書込型MRAMに情報を書き込む場合には、書込用ワード線54及びビット線75に電流を流し、その合成磁界によりフリー層68に情報を磁気的に書き込む。この時、書込初期においてスピン注入電極67にスピン緩和を減少させる方向に微小電流を流すことによって、フリー層68にスピン流を注入して情報を書込を容易にする。書込終期においては、フリー層68における磁気モーメントの歳差運動が収束する前に、スピン注入電極67に逆方向の弱い電流を流してスピン流を注入してスピン緩和を促進する。【0091】このように、本発明の実施例3においては、磁界書込型MRAMに情報を書き込む際に、書込初期にはスピン緩和を抑制する方向の純スピン流を注入し、書込終期にはスピン緩和を促進する方向の純スピン流を注入しているが、純スピン流の注入効率を大幅に高めているので、スピン注入電極に流す電流は小さくて済み、したがって、低消費電力化が可能になる。【実施例4】【0092】ここで、図12を参照して、本発明の実施例4の純スピン流書込型MRAMを説明する。図12は、本発明の実施例4の純スピン流書込型MRAMを構成するメモリセルの概念的断面図であり、構成自体は、従来のMRAMの書込用ワード線の代わりにスピン注入電極を設けたものである。図に示すように、上述の実施例1と同様に、p型シリコン基板31を選択酸化することによって素子分離酸化膜32を形成したのち、素子形成領域にゲート絶縁膜33を介してワード線34となるWSiからなるゲート電極を形成する。型ソース領域36を形成する。型ソース領域36に達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールをTi/TiNを介してWで埋め込むことによってWプラグ38,39を形成する。型ソース領域36に接続する接地線41を形成する。TEOS-NSG膜からなる厚い第2層間絶縁膜42を形成したのち、接続導体40に達するコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールをTi/TiNを介してWで埋め込むことによってWプラグ43を形成する。【0095】次いで、全面にPtを堆積させたのちパターニングすることによって下部電極57とワード線34に平行なスピン注入電極58を形成する。TEOS-NSG膜からなる薄い第3層間絶縁膜45を堆積させたのち、下部電極57が露出するまでCMPにより平坦化する。トンネル絶縁層61、厚さが、例えば、2nmのCoFeからなるピンド層62、及び、厚さが、例えば、15nmのIrMnからなる反強磁性層63を順次堆積させることによって、磁気記憶部64を形成する。この時、磁気記憶部64の形状の長手方向がスピン注入電極58の延在方向と垂直になるように形成する。【0097】次いで、再び、TEOS-NSG膜からなる第4層間絶縁膜50を堆積させたのち、反強磁性層63が露出するまでCMPによって平坦化する。全面に、TiN/Al/TiN構造の多層導電層を堆積させたのち、ワード線34となるゲート電極と直交する方向に延在するようにパターニングしてビット線51を形成することによって、本発明の実施例4の純スピン書込型MRAMの基本構造が完成する。【0098】この本発明の実施例4の純スピン書込型MRAMに情報を書き込む場合には、書込初期においてスピン注入電極58に書込電流を流すことによって、フリー層60にスピン流を注入して情報の書込を行う。書込終期においては、フリー層60における磁気モーメントの歳差運動が収束する前に、スピン注入電極58に書込電流と逆方向の弱い電流を流してスピン流を注入してスピン緩和を促進する。【0099】このように、本発明の実施例4においては、書込をスピン注入電極58からのスピン注入により行っているので、従来の磁気書込型のMRAMより書込速度を高めることができるとともに、従来のスピンRAMに比べて磁気記憶部の構成を簡単にすることができる。【実施例5】【0100】次に、図13及び図14を参照して、本発明の実施例5の純スピン流書込型MRAMを説明するが、この実施例5は上述の実施例4の純スピン流書込型MRAMにおける純スピン注入効率を高めたものである。図13は、本発明の実施例5の純スピン流書込型MRAMを構成するメモリセルの概略的構成図であり、図13(a)は概略的断面図であり、図13(b)は、配線の状況を示す概略的平面図である。なるWSiからなるゲート電極を形成する。形成して一対のMOSFETを構成する。図13においては、概念的構成を示すものであるので、技術思想と直接の関連のないサイドウォールやエクステンション領域等の詳細な構成は説明を省略する。達するコンタクトホールを形成する。